- FDD120AN15A0
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,8 А (Ta), 14 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 65 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- IRF7805ZTRPBF
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IRLR7833TRPBF
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 140 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 140 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- BSC026NE2LS5ATMA1
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 24 А (Ta), 82 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 29 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- FQD7N30TM
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 300 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- RFD16N05SM9A
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 72 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- TPH3R203NL,L1Q
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 47 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), 44 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- SI7629DN-T1-GE3
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,7 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- NTD4302T4G
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 8,4 А (Ta), 68 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,04 Вт (Ta), 75 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- IRFR3806TRPBF
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 43 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 71 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IPD30N06S2L13ATMA4
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 136 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PG-TO252-3-11, упаковка: Cut Tape.
- IRFR120TRPBF
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 7,7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IRLR2908TRPBF
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 120 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IPD90N03S4L03ATMA1
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 90 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 94 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- BSP298H6327XUSA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока (непрерывный): Iс = 500 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,8 Вт (Ta), корпус: PG-SOT223-4, упаковка: Cut Tape.
- NTD110N02RT4G
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 24 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12,5 А (Ta), 110 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), 110 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- DMN15H310SE-13
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 2 А (Ta), 7,1 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,9 Вт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- FDD8874
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Ta), 116 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 110 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- IRF7805TRPBF
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 13 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BSC046N02KSGAUMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 19 А (Ta), 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), 48 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IPD60R600P6ATMA1
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 7,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 63 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- SI4186DY-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 35,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 6 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDMS7670AS
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 22 А (Ta), 42 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 65 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: Power56, упаковка: Cut Tape.
- IRFH7545TRPBF
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 85 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 83 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- SI7806ADN-T1-E3
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед