- IPD040N03LGATMA1
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 90 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 79 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- AON6502
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 49 А (Ta), 85 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 7,4 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: 8-DFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- IRLR6225TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 63 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IRF6201TRPBF
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 27 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IRLR2905ZTRPBF
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 42 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FDS6690AS
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- TPH14006NH,L1Q
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), 32 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- IRFL214TRPBF
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 790 мА (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), 3,1 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- IRLR2905TRLPBF
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 42 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FDD24AN06LA0_F085
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 7,1 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 75 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- SIS456DN-T1-GE3
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- IRF7809AVTRPBF
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IRF7406TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BSC22DN20NS3GATMA1
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 34 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSC0901NSATMA1
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 28 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- AOD256
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Ta), 19 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- SI4384DY-T1-E3
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 10 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,47 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI4686DY-T1-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18,2 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 5,2 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- ZXMN6A25KTC
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,11 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- FDT86256
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 1,2 А (Ta), 3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 10 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- DMP3010LPS-13
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,18 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- IPD068P03L3GATMA1
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 70 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 100 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- IRFR9N20DTRPBF
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 9,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 86 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- BSZ035N03LSGATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 20 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSC196N10NSGATMA1
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,5 А (Ta), 45 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 78 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед