- IRF7451TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SISS40DN-T1-GE3
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 36,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,7 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- FDD5N50NZTM
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 62 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BSC12DN20NS3GATMA1
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11,3 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 50 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- FDD6635
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 35 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Ta), 59 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,8 Вт (Ta), 55 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- IPL60R650P6SATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 56,8 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: 8-ThinPak (5x6), упаковка: Cut Tape.
- ZXMN10A25KTC
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,11 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- FDS3590
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDFS6N548
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDD6N50FTM
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 5,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 89 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SI5418DU-T1-GE3
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 31 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PowerPAK® ChipFet Single, упаковка: Cut Tape.
- FCD4N60TM
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 50 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SIR416DP-T1-GE3
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5,2 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- BSC026N02KSGAUMA1
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 25 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), 78 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSC020N03MSGATMA1
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 25 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 96 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- TPH7R506NH,L1Q
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 22 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), 45 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- SPD30P06PGBTMA1
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 125 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- IPD50R280CEAUMA1
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 550 В, ток стока: Iс = 18,1 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 119 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: PG-TO-252, упаковка: Cut Tape.
- IRF6655TRPBF
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,2 А (Ta), 19 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,2 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: DIRECTFET™ SH, упаковка: Cut Tape.
- AON7280
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Ta), 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 6,3 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: 8-DFN-EP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- NDS8425
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI7112DN-T1-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 11,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- BSZ025N04LSATMA1
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 22 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PG-TSDSON-8-FL, упаковка: Cut Tape.
- FQD5N60CTM
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 2,8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 49 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IRL530NSTRLPBF
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 79 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед