Полевые транзисторы | МОП-транзисторы | FET, MOSFET | Каталог

В нашем каталоге представлен широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов (MOSFET) ведущих мировых производителей дискретных полупроводников. У нас можно купить униполярные транзисторы с n-каналом или p-каналом, напряжение сток-исток (U_СИ) в диапазоне от 6 В до 4,5 кВ, ток стока (I_С) от 5 мА до 860 А, сопротивление в открытом состоянии (R_{СИ откр.}) от 0,4 мОм до 1 кОм, рассеиваимая мощность (P_макс.) от 80 мВт до 5 кВт.

IRF3205PBF Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, Rси откр.=8,0 мОм, напряжение СИ: 55 В, 200 Вт, Tube

Силовой полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, R_{СИ откр.}=8,0 мОм, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока: I_с = 110 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 200 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220AB.

IRFR2407PBF МОП-транзистор с каналом n-типа, Uси max = 75 В, Iс = 42 А (Tc), PD = 110 Вт (Tc)

МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 75 В, ток стока (непрерывный): I_с = 42 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 110 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: D-Pak.

FDD8878 N-канальный полевой транзистор, Uси=30 В, P=40 Вт (Tc)

N-канальный полевой транзистор, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока (непрерывный): I_с = 11 А (Ta), 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 40 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.

BSC0909NSATMA1 МОП-транзистор с N-каналом, Uси=34 В, P=2,5 Вт (Ta), 27 Вт (Tc), корпус: PG-TDSON-8

МОП-транзистор с N-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 34 В, ток стока: I_с = 12 А (Ta), 44 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 2,5 Вт (Ta), 27 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PG-TDSON-8.

SIS412DN-T1-GE3 полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: 30 В, мощность: 3,2 Вт (Ta), 15,6 Вт (Tc)

Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока: I_с = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 3,2 Вт (Ta), 15,6 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.

SI7716ADN-T1-GE3 МОП-транзистор с N-каналом, 30 В, 3,5 Вт (Ta), 27,7 Вт (Tc)

МОП-транзистор с N-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока: I_с = 16 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 3,5 Вт (Ta), 27,7 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.

RFD14N05L МОП-транзистор с N-каналом, 50 В, 14 А, 100 мОм, TO-251AA

МОП-транзистор с N-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 50 В, ток стока (непрерывный): I_с = 14 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 48 Вт (Tc), сопротивление сток-исток в открытом состоянии: R_{си(откр)} = 100 мОм, монтаж через отверстия, корпус: TO-251AA.

IRFP064NPBF

Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока (непрерывный): I_с = 110 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 200 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-247AC, упаковка: Bulk.

IRFP260NPBF

МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 200 В, ток стока: I_с = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 300 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-247AC, упаковка: Bulk.

IRFP3206PBF

Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока (непрерывный): I_с = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 280 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-247AC, упаковка: Bulk.

IRFP4310ZPBF

МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока: I_с = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 280 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-247AC, упаковка: Bulk.

IRFP4321PBF

Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 150 В, ток стока (непрерывный): I_с = 78 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 310 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-247AC, упаковка: Bulk.

IRFP4110PBF

Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока: I_с = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 370 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-247AC, упаковка: Bulk.

IRFP4332PBF

МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 250 В, ток стока (непрерывный): I_с = 57 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 360 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-247AC, упаковка: Bulk.

IRFP2907PBF

MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 75 В, ток стока (непрерывный): I_с = 209 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 470 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-247AC, упаковка: Bulk.

IRFP90N20DPBF

Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 200 В, ток стока: I_с = 94 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 580 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-247AC, упаковка: Bulk.

IRFPS3810PBF

МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока: I_с = 170 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 580 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: SUPER-247 (TO-274AA), упаковка: Bulk.

IRFP044NPBF

Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока (непрерывный): I_с = 53 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 120 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-247AC, упаковка: Bulk.

IRFP150NPBF

Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока: I_с = 42 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 160 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-247AC, упаковка: Bulk.

IRFP9140NPBF

МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока (непрерывный): I_с = 23 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 140 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-247AC, упаковка: Bulk.

IRFP3710PBF

MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока: I_с = 57 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 200 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-247AC, упаковка: Bulk.

IRFP1405PBF

Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока: I_с = 95 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 310 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-247AC, упаковка: Bulk.

IRFP3077PBF

МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 75 В, ток стока (непрерывный): I_с = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 340 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-247AC, упаковка: Bulk.

IRFP140NPBF

MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока: I_с = 33 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 140 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-247AC, упаковка: Bulk.

IRFP250NPBF

МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 200 В, ток стока: I_с = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 214 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-247AC, упаковка: Bulk.

Назад Вперед

Drain to Source Voltage -- напряжение сток-исток

Drive Voltage -- управляющее напряжение

Power Dissipation -- рассеиваемая мощность

Gate−to−Source Voltage − Continuous -- напряжение затвор-исток (непрерывное)

Drain Current -- ток стока

Полевые транзисторы (FET, MOSFET)