- IRF3205PBF Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, Rси откр.=8,0 мОм, напряжение СИ: 55 В, 200 Вт, Tube
Силовой полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, RСИ откр.=8,0 мОм, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 110 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 200 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220AB.
- IRFR2407PBF МОП-транзистор с каналом n-типа, Uси max = 75 В, Iс = 42 А (Tc), PD = 110 Вт (Tc)
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 42 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 110 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: D-Pak.
- FDD8878 N-канальный полевой транзистор, Uси=30 В, P=40 Вт (Tc)
N-канальный полевой транзистор, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Ta), 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 40 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- BSC0909NSATMA1 МОП-транзистор с N-каналом, Uси=34 В, P=2,5 Вт (Ta), 27 Вт (Tc), корпус: PG-TDSON-8
МОП-транзистор с N-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 34 В, ток стока: Iс = 12 А (Ta), 44 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 27 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PG-TDSON-8.
- SIS412DN-T1-GE3 полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: 30 В, мощность: 3,2 Вт (Ta), 15,6 Вт (Tc)
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,2 Вт (Ta), 15,6 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7716ADN-T1-GE3 МОП-транзистор с N-каналом, 30 В, 3,5 Вт (Ta), 27,7 Вт (Tc)
МОП-транзистор с N-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 16 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,5 Вт (Ta), 27,7 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- RFD14N05L МОП-транзистор с N-каналом, 50 В, 14 А, 100 мОм, TO-251AA
МОП-транзистор с N-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 48 Вт (Tc), сопротивление сток-исток в открытом состоянии: Rси(откр) = 100 мОм, монтаж через отверстия, корпус: TO-251AA.
- IRFP064NPBF
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 110 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 200 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-247AC, упаковка: Bulk.
- IRFP260NPBF
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-247AC, упаковка: Bulk.
- IRFP3206PBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 280 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-247AC, упаковка: Bulk.
- IRFP4310ZPBF
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 280 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-247AC, упаковка: Bulk.
- IRFP4321PBF
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 78 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 310 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-247AC, упаковка: Bulk.
- IRFP4110PBF
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 370 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-247AC, упаковка: Bulk.
- IRFP4332PBF
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока (непрерывный): Iс = 57 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 360 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-247AC, упаковка: Bulk.
- IRFP2907PBF
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 209 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 470 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-247AC, упаковка: Bulk.
- IRFP90N20DPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 94 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 580 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-247AC, упаковка: Bulk.
- IRFPS3810PBF
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 170 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 580 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: SUPER-247 (TO-274AA), упаковка: Bulk.
- IRFP044NPBF
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 53 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 120 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-247AC, упаковка: Bulk.
- IRFP150NPBF
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 42 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 160 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-247AC, упаковка: Bulk.
- IRFP9140NPBF
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 23 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 140 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-247AC, упаковка: Bulk.
- IRFP3710PBF
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 57 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 200 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-247AC, упаковка: Bulk.
- IRFP1405PBF
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 95 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 310 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-247AC, упаковка: Bulk.
- IRFP3077PBF
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 340 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-247AC, упаковка: Bulk.
- IRFP140NPBF
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 33 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 140 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-247AC, упаковка: Bulk.
- IRFP250NPBF
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 214 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-247AC, упаковка: Bulk.
Назад
Вперед