Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), Uc-e=430 В, Pmax=30 Вт, монтаж через отверстия, корпус: TO-220F-3FS.
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), Uc-e=430 В, Pmax=30 Вт, монтаж через отверстия, корпус: TO-220-3.