- FQD9N25TM
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 7,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 55 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FDD5N60NZTM
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 83 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FDD8876
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 15 А (Ta), 73 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 70 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- FQD8P10TM
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 6,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 44 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IRF8734TRPBF
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 21 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BSC024NE2LSATMA1
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 25 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 48 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IRFR9110TRPBF
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 3,1 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 25 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IRFR3910TRPBF
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 16 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 79 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IRLR7807ZTRPBF
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 43 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 40 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FDD6612A
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 9,5 А (Ta), 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), 36 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- SIR484DP-T1-GE3
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,9 Вт (Ta), 29,8 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- IPD50P04P413ATMA1
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 58 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: PG-TO252-3-313, упаковка: Cut Tape.
- FQNL2N50BTA
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 350 мА (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-92-3, упаковка: Cut Tape.
- IRLR2703TRPBF
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 23 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 45 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- BSC030N03LSGATMA1
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 23 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- FDD5612
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 5,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,8 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- IRFR7546TRPBF
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 56 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 99 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- CPC5603CTR
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 415 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- IRFR420TRPBF
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IRF7469TRPBF
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IRF7478TRPBF
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDD8451
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 9 А (Ta), 28 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 30 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- RFD12N06RLESM9A
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 18 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 49 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- IRLHM630TRPBF
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 21 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,7 Вт (Ta), 37 Вт (Tc), монтаж на поверхность, упаковка: Cut Tape.
- IRLR3105TRPBF
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 25 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 57 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед