- IPD30N03S4L09ATMA1
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 42 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- FDFMA3N109
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 2,9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: 6-MicroFET (2x2), упаковка: Cut Tape.
- BSP125H6327XTSA1
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,8 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: PG-SOT223-4, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS4821NT1G
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,8 А (Ta), 58,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 870 мВт (Ta), 38,5 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- SI4487DY-T1-GE3
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 5 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- DMN6066SSS-13
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,56 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDME820NZT
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: MicroFet 1.6x1.6 Thin, упаковка: Cut Tape.
- IPD50N06S4L12ATMA2
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 50 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PG-TO252-3-11, упаковка: Cut Tape.
- AON6792
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 44 А (Ta), 85 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 6,2 Вт (Ta), 48 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: 8-DFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- IRF8113TRPBF
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 17,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- ZXMN2A03E6TA
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,1 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: SOT-23-6, упаковка: Cut Tape.
- AO4486
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 4,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- IRLR9343TRPBF
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 79 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: D-PAK (TO-252AA), упаковка: Cut Tape.
- LND01K1-G
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 9 В, ток стока: Iс = 330 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус: SOT-23-5, упаковка: Cut Tape.
- BSZ0904NSIATMA1
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 40 А (Ta), 18 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), 37 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: PG-TSDSON-8-FL, упаковка: Cut Tape.
- HUF76407D3ST
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 38 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- IRLR7821TRPBF
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 65 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 75 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- ZXMP6A17N8TC
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 2,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,56 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS5832NLT1G
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 20 А (Ta), 111 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), 96 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- FQD20N06TM
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 16,8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 38 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SI3458BDV-T1-E3
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 4,1 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), 3,3 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- BSC042N03LSGATMA1
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Ta), 93 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 57 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSZ0902NSATMA1
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 19 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 48 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PG-TSDSON-8-FL, упаковка: Cut Tape.
- NTTFS4824NTAG
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,3 А (Ta), 69 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 660 мВт (Ta), 46,3 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: 8-WDFN (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- AO4430
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 18 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед