- SIRA14DP-T1-GE3
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 58 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,6 Вт (Ta), 31,2 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- IRF8721TRPBF
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 14 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- AON7404
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: 8-DFN (3x3), упаковка: Cut Tape.
- FDD8778
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 39 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS4939NT1G
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 9,3 А (Ta), 53 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 920 мВт (Ta), 30 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- BSZ065N03LSATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 12 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 26 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PG-TSDSON-8-FL, упаковка: Cut Tape.
- RUQ050N02TR
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,25 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: TSMT6 (SC-95), упаковка: Cut Tape.
- NTMS5P02R2G
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,95 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 790 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- DMN4034SSS-13
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,56 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IRFL210TRPBF
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 960 мА (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), 3,1 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS4936NT1G
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 11,6 А (Ta), 79 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 920 мВт (Ta), 43 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- TPH11003NL,LQ
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 32 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), 21 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- TPH11006NL,LQ
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), 34 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- FDFMA2P853
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,4 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: 6-MicroFET (2x2), упаковка: Cut Tape.
- BSZ050N03LSGATMA1
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IRF7807ZTRPBF
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 11 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- DMP2021UFDF-7
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 730 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: U-DFN2020-6 (Type F), упаковка: Cut Tape.
- FDS8433A
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- DMN10H100SK3-13
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 18 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 37 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS4841NT1G
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,3 А (Ta), 57 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 870 мВт (Ta), 41,7 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- SI9433BDY-T1-GE3
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,3 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- DMN4008LFG-7
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- FDD3N40TM
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 30 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IRFR9120NTRPBF
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 40 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FDG330P
MOSFET транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 750 мВт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: SC-70-6, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед