- NTD4858NT4G
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11,2 А (Ta), 73 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,3 Вт (Ta), 54,5 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- DMN4010LFG-7
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 11,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 930 мВт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- IPD090N03LGATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 42 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- AO4476A
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 15 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- NTD3055-150T4G
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), 28,8 Вт (Tj), монтаж SMT, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SI1471DH-T1-E3
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 2,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), 2,78 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: SC-70-6 (SOT-363), упаковка: Cut Tape.
- DMN2005UFG-7
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18,1 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,05 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- ZXMN3A01E6TA
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 2,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,1 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-23-6, упаковка: Cut Tape.
- SI5459DU-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,5 Вт (Ta), 10,9 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PowerPAK® ChipFet Single, упаковка: Cut Tape.
- IPD60R3K3C6ATMA1
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 18,1 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- FDFS2P753Z
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- DMN2011UFDE-7
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 610 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: U-DFN2020-6 (Type E), упаковка: Cut Tape.
- SI5411EDU-T1-GE3
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 25 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 31 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PowerPAK® ChipFet Single, упаковка: Cut Tape.
- BSS126H6906XTSA1
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 21 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: PG-SOT23-3, упаковка: Cut Tape.
- RHP030N03T100
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: MPT3, упаковка: Cut Tape.
- SI1471DH-T1-GE3
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), 2,78 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: SC-70-6 (SOT-363), упаковка: Cut Tape.
- SI5415EDU-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 25 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), 31 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: PowerPAK® ChipFet Single, упаковка: Cut Tape.
- IRF7601TRPBF
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 5,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,8 Вт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: Micro8™, упаковка: Cut Tape.
- ZXMN6A08KTC
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,36 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,12 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- AO4494
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- QS5U28TR
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,25 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: TSMT5, упаковка: Cut Tape.
- SI4346DY-T1-E3
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 5,9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,31 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BSP315PH6327XTSA1
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 1,17 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,8 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: PG-SOT223-4, упаковка: Cut Tape.
- BSP316PH6327XTSA1
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 680 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,8 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: PG-SOT223-4, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS4C05NT1G
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 11,9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 770 мВт (Ta), 33 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед