- NTD4909NT4G
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,8 А (Ta), 41 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,37 Вт (Ta), 29,4 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- RTL035N03TR
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: TUMT6, упаковка: Cut Tape.
- DMN3110S-7
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 2,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 740 мВт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- DMN3016LK3-13
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- SI8483DB-T2-E1
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 16 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,77 Вт (Ta), 13 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: 6-Micro Foot™, упаковка: Cut Tape.
- BSS606NH6327XTSA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: PG-SOT89, упаковка: Cut Tape.
- DMN3010LFG-7
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Ta), 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 900 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- BSZ105N04NSGATMA1
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 11 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 35 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- DMN4036LK3-13
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 8,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,12 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- DMG4435SSS-13
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: 8-SOP, упаковка: Cut Tape.
- BSP88H6327XTSA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 240 В, ток стока: Iс = 350 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,8 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: PG-SOT223-4, упаковка: Cut Tape.
- QS5U13TR
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,25 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: TSMT5, упаковка: Cut Tape.
- SIA429DJT-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,5 Вт (Ta), 19 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- NTHS5404T1G
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 5,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,3 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: ChipFET™, упаковка: Cut Tape.
- SI3464DV-T1-GE3
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), 3,6 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- SI3443CDV-T1-E3
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 5,97 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), 3,2 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- BSC100N03MSGATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 12 А (Ta), 44 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 30 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- NTD4809NT4G
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,6 А (Ta), 58 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,4 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDD8880
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 13 А (Ta), 58 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 55 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- RZF030P01TL
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 800 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус: TUMT3, упаковка: Cut Tape.
- RUL035N02TR
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 320 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: TUMT6, упаковка: Cut Tape.
- DMP1245UFCL-7
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 6,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 613 мВт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: X1-DFN1616-6 (Type E), упаковка: Cut Tape.
- SIA431DJ-T1-GE3
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,5 Вт (Ta), 19 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- FDMC8015L
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Ta), 18 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), 24 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- BSZ130N03LSGATMA1
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Ta), 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 25 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед