- IRFHS8342TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,8 А (Ta), 19 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: 8-PQFN (2x2), упаковка: Cut Tape.
- SSM6J215FE(TE85L,F
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус: ES6, упаковка: Cut Tape.
- FDC8884
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,5 А (Ta), 8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: 6-SSOT, упаковка: Cut Tape.
- DMN66D0LT-7
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 115 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 200 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: SOT-523, упаковка: Cut Tape.
- DMP2066LSN-7
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 4,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,25 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: SC-59-3, упаковка: Cut Tape.
- SIA406DJ-T1-GE3
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 4,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,5 Вт (Ta), 19 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- SIRA34DP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,3 Вт (Ta), 31,25 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- DMN4800LSSL-13
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,46 Вт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- RQ3G100GNTB
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус: 8-HSMT (3.2x3), упаковка: Cut Tape.
- IRF5802TRPBF
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 900 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: Micro6™(TSOP-6), упаковка: Cut Tape.
- FDG311N
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 1,9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 750 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: SC-70-6, упаковка: Cut Tape.
- IRF5806TRPBF
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: Micro6™(TSOP-6), упаковка: Cut Tape.
- NTLJF4156NT1G
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,5 А (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 710 мВт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: 6-WDFN (2x2), упаковка: Cut Tape.
- QS5U34TR
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 1,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 900 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: TSMT5, упаковка: Cut Tape.
- IRLMS1902TRPBF
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,7 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: Micro6™(TSOP-6), упаковка: Cut Tape.
- IRLR8726TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 86 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 75 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- NTLJF3117PT1G
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 710 мВт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: 6-WDFN (2x2), упаковка: Cut Tape.
- SIB422EDK-T1-GE3
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 13 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PowerPAK® SC-75-6L Single, упаковка: Cut Tape.
- FDMS7694
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 13,2 А (Ta), 20 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 27 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: Power56, упаковка: Cut Tape.
- SIB410DK-T1-GE3
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 13 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PowerPAK® SC-75-6L Single, упаковка: Cut Tape.
- SSM6K781G,LF
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: 6-WCSPC (1.5x1.0), упаковка: Cut Tape.
- DMN10H170SVT-7
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 2,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,2 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: TSOT-26, упаковка: Cut Tape.
- DMN3016LSS-13
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- RZR025P01TL
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 2,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: TSMT3, упаковка: Cut Tape.
- SIB433EDK-T1-GE3
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,4 Вт (Ta), 13 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PowerPAK® SC-75-6L Single, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед