- DMG4496SSS-13
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 10 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,42 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: 8-SOP, упаковка: Cut Tape.
- IRLML6401GTRPBF
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 4,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,3 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: Micro3™/SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- IRLML6402GTRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,3 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: Micro3™/SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- SSM6J213FE(TE85L,F
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: ES6, упаковка: Cut Tape.
- DMP2038USS-13
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- RQ6C050UNTR
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,25 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: TSMT6 (SC-95), упаковка: Cut Tape.
- DMP2130L-7
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,4 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- SSM6K403TU,LF
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 4,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: UF6, упаковка: Cut Tape.
- AO6409A
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 5,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- SI1403BDL-T1-E3
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 568 мВт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SC-70-6 (SOT-363), упаковка: Cut Tape.
- SI2367DS-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 960 мВт (Ta), 1,7 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- SIA418DJ-T1-GE3
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,5 Вт (Ta), 19 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- DMP2066UFDE-7
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 6,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 660 мВт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: U-DFN2020-6 (Type E), упаковка: Cut Tape.
- SI1031R-T1-GE3
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 140 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 250 мВт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: SC-75A, упаковка: Cut Tape.
- BSR92PH6327XTSA1
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 140 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: PG-SC-59, упаковка: Cut Tape.
- DMN2020UFCL-7
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 610 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: X1-DFN1616-6 (Type E), упаковка: Cut Tape.
- CMPDM7003 TR
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 280 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- RQ3E120GNTB
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 12 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), 16 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: 8-HSMT (3.2x3), упаковка: Cut Tape.
- RTQ020N03TR
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,25 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: TSMT6 (SC-95), упаковка: Cut Tape.
- FDMS7692
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 14 А (Ta), 28 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 27 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- MTM761100LBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 700 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: WSMini6-F1-B, упаковка: Cut Tape.
- DMP3028LFDE-7
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 6,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 660 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: U-DFN2020-6 (Type E), упаковка: Cut Tape.
- DMN6070SFCL-7
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 600 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус: X1-DFN1616-6 (Type E), упаковка: Cut Tape.
- BSR202NL6327HTSA1
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: PG-SC-59, упаковка: Cut Tape.
- BSR315PH6327XTSA1
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 620 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: PG-SC-59, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед