- BSS806NEH6327XTSA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: PG-SOT23-3, упаковка: Cut Tape.
- BSS127H6327XTSA2
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 21 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: PG-SOT23-3, упаковка: Cut Tape.
- BSS314PEH6327XTSA1
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: PG-SOT23-3, упаковка: Cut Tape.
- BSS215PH6327XTSA1
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: PG-SOT23-3, упаковка: Cut Tape.
- BSS119NH6327XTSA1
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 190 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: PG-SOT23-3, упаковка: Cut Tape.
- BSS205NH6327XTSA1
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: PG-SOT23-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN62D0SFD-7
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 540 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 430 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: X1-DFN1212-3, упаковка: Cut Tape.
- BSS315PH6327XTSA1
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 1,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: PG-SOT23-3, упаковка: Cut Tape.
- RRF015P03GTL
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 1,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 320 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус: TUMT3, упаковка: Cut Tape.
- DMP3105LVT-7
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3,1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,15 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: TSOT-23-6, упаковка: Cut Tape.
- RQ3E070BNTB
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: 8-HSMT (3.2x3), упаковка: Cut Tape.
- RRF015P03TL
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 1,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 320 мВт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: TUMT3, упаковка: Cut Tape.
- DMN2005LPK-7
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 440 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 450 мВт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: 3-DFN1006 (1.0x0.6), упаковка: Cut Tape.
- CEDM8001VL TR
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: SOT-883VL, упаковка: Cut Tape.
- SSM6H19NU,LF
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус: 6-UDFN (2x2), упаковка: Cut Tape.
- AON3414
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 10,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: 8-DFN (2.9x2.3), упаковка: Cut Tape.
- DMP21D0UFD-7
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 820 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 490 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: X1-DFN1212-3, упаковка: Cut Tape.
- RW1C025ZPT2CR
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 700 мВт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: 6-WEMT, упаковка: Cut Tape.
- CEDM7004VL TR
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 450 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 мВт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SOT-883VL, упаковка: Cut Tape.
- BSS159NH6327XTSA2
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 230 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: PG-SOT23-3, упаковка: Cut Tape.
- DMP56D0UFB-7
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 425 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус: 3-DFN1006 (1.0x0.6), упаковка: Cut Tape.
- RW1A030APT2CR
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: 6-WEMT, упаковка: Cut Tape.
- SI1403CDL-T1-GE3
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,1 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 600 мВт (Ta), 900 мВт (Tc), SMD-монтаж, корпус: SC-70-6 (SOT-363), упаковка: Cut Tape.
- IRLML6302GTRPBF
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 780 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 540 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: Micro3™/SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- RHK003N06T146
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 300 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 200 мВт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: SMT3, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед