- FCB20N60FTM
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 208 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDB2710
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 260 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS6B03NT1G
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 19 А (Ta), 132 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,4 Вт (Ta), 165 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- IPB107N20NAATMA1
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 88 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PG-TO263-3, упаковка: Cut Tape.
- FCB36N60NTM
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 36 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 312 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- BSS138NH6433XTMA1
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 230 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: PG-SOT23-3, упаковка: Cut Tape.
- RU1C001ZPTL
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 100 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 150 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: UMT3F, упаковка: Cut Tape.
- SSM3K15ACT,L3F
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 мВт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: CST3, упаковка: Cut Tape.
- BSS84PWH6327XTSA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 150 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 мВт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: PG-SOT323-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN53D0LW-7
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока: Iс = 360 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 320 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- BSS138WH6327XTSA1
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 280 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: PG-SOT323-3, упаковка: Cut Tape.
- SN7002WH6327XTSA1
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 230 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: PG-SOT323-3, упаковка: Cut Tape.
- SSM3K36FS,LF
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 500 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: SSM, упаковка: Cut Tape.
- BSS223PWH6327XTSA1
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 390 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: PG-SOT323-3, упаковка: Cut Tape.
- BSS209PWH6327XTSA1
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 630 мА (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: PG-SOT323-3, упаковка: Cut Tape.
- BSS316NH6327XTSA1
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: PG-SOT23-3, упаковка: Cut Tape.
- BSS214NWH6327XTSA1
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 1,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус: PG-SOT323-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN601WK-7
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 300 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 200 мВт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- BSS670S2LH6327XTSA1
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 540 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 360 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус: PG-SOT23-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN2500UFB4-7
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 810 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 460 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: X2-DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN21D2UFB-7B
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 760 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 380 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: 3-DFN1006 (1.0x0.6), упаковка: Cut Tape.
- SSM3J325F,LF
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 600 мВт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: S-Mini, упаковка: Cut Tape.
- RW1E025RPT2CR
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 2,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: 6-WEMT, упаковка: Cut Tape.
- 2N7000_D75Z
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 400 мВт (Ta), монтаж через отверстия, корпус: TO-92-3, упаковка: Cut Tape.
- BSS806NH6327XTSA1
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: PG-SOT23-3, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед