Полевые транзисторы | МОП-транзисторы | FET, MOSFET | Каталог

В нашем каталоге представлен широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов (MOSFET) ведущих мировых производителей дискретных полупроводников. У нас можно купить униполярные транзисторы с n-каналом или p-каналом, напряжение сток-исток (U_СИ) в диапазоне от 6 В до 4,5 кВ, ток стока (I_С) от 5 мА до 860 А, сопротивление в открытом состоянии (R_{СИ откр.}) от 0,4 мОм до 1 кОм, рассеиваимая мощность (P_макс.) от 80 мВт до 5 кВт.

IRFS4310TRLPBF

MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока: I_с = 130 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 300 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.

IPT60R150G7XTMA1

Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 650 В, ток стока: I_с = 17 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 106 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PG-HSOF-8, упаковка: Cut Tape.

IPT60R125G7XTMA1

MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 650 В, ток стока: I_с = 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 120 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PG-HSOF-8, упаковка: Cut Tape.

IPT60R102G7XTMA1

МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 650 В, ток стока: I_с = 23 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 141 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: PG-HSOF-8, упаковка: Cut Tape.

IRFS3107TRL7PP

Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 75 В, ток стока: I_с = 240 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 370 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: D2PAK (7-Lead), упаковка: Cut Tape.

IRF520NSTRLPBF

Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока (непрерывный): I_с = 9,7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 3,8 Вт (Ta), 48 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.

IRFZ44NSTRLPBF

МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока: I_с = 49 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 3,8 Вт (Ta), 94 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.

STD3NK50ZT4

Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 500 В, ток стока: I_с = 2,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 45 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

STD60NF06T4

Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока: I_с = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 110 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

IRLML5203TRPBF

Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока: I_с = 3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 1,25 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: Micro3™/SOT-23, упаковка: Cut Tape.

IRLML2402GTRPBF

Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 20 В, ток стока: I_с = 1,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 540 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус: Micro3™/SOT-23, упаковка: Cut Tape.

IRLML9303TRPBF

МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока (непрерывный): I_с = 2,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 1,25 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: Micro3™/SOT-23, упаковка: Cut Tape.

BSS225H6327FTSA1

MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 600 В, ток стока: I_с = 90 мА (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 1 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: PG-SOT89, упаковка: Cut Tape.

IRF7606TRPBF

Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока (непрерывный): I_с = 3,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 1,8 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: Micro8™, упаковка: Cut Tape.

IRF9333TRPBF

Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока (непрерывный): I_с = 9,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.

IPD80R4K5P7ATMA1

MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока: I_с = 1,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 13 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: TO-252, упаковка: Cut Tape.

BSP373NH6327XTSA1

Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока (непрерывный): I_с = 1,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 1,8 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: PG-SOT223-4, упаковка: Cut Tape.

IRL60HS118

Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока (непрерывный): I_с = 18,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 11,5 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: 6-PQFN (2x2), упаковка: Cut Tape.

SPD02N80C3ATMA1

МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока (непрерывный): I_с = 2 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 42 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.

IPD60R600P7ATMA1

Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 650 В, ток стока (непрерывный): I_с = 6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 30 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.

IPB054N06N3GATMA1

Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока (непрерывный): I_с = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 115 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.

IPB123N10N3GATMA1

Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока (непрерывный): I_с = 58 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 94 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.

IPD60R360P7ATMA1

MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 650 В, ток стока: I_с = 9 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 41 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.

IRF6645TRPBF

МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока (непрерывный): I_с = 5,7 А (Ta), 25 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 2,2 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: DIRECTFET™ SJ, упаковка: Cut Tape.

IRL3705NSTRLPBF

МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока (непрерывный): I_с = 89 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 3,8 Вт (Ta), 170 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.

Назад Вперед

Drain to Source Voltage -- напряжение сток-исток

Drive Voltage -- управляющее напряжение

Power Dissipation -- рассеиваемая мощность

Gate−to−Source Voltage − Continuous -- напряжение затвор-исток (непрерывное)

Drain Current -- ток стока

Полевые транзисторы (FET, MOSFET)