Полевые транзисторы | МОП-транзисторы | FET, MOSFET | Каталог

В нашем каталоге представлен широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов (MOSFET) ведущих мировых производителей дискретных полупроводников. У нас можно купить униполярные транзисторы с n-каналом или p-каналом, напряжение сток-исток (U_СИ) в диапазоне от 6 В до 4,5 кВ, ток стока (I_С) от 5 мА до 860 А, сопротивление в открытом состоянии (R_{СИ откр.}) от 0,4 мОм до 1 кОм, рассеиваимая мощность (P_макс.) от 80 мВт до 5 кВт.

IPL60R365P7AUMA1

МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 650 В, ток стока: I_с = 10 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 46 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: PG-VSON-4, упаковка: Cut Tape.

IRF6811STRPBF

МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 25 В, ток стока: I_с = 19 А (Ta), 74 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 2,1 Вт (Ta), 32 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: DIRECTFET™ SQ, упаковка: Cut Tape.

IPL60R185P7AUMA1

Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 650 В, ток стока: I_с = 19 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 81 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PG-VSON-4, упаковка: Cut Tape.

STN2NF10

Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока: I_с = 2,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 3,3 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: SOT-223, упаковка: Cut Tape.

STD1NK80ZT4

МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока: I_с = 1 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 45 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

STD30PF03LT4

Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока (непрерывный): I_с = 24 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 70 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

STD20NF20

Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 200 В, ток стока: I_с = 18 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 110 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

STD18N55M5

Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 550 В, ток стока: I_с = 16 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 110 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.

STD14NM50N

Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 500 В, ток стока (непрерывный): I_с = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 90 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

STD7NM80

МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока (непрерывный): I_с = 6,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 90 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

STD17NF03LT4

MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока: I_с = 17 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 30 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

IRLML6346TRPBF

Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока: I_с = 3,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 1,3 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: Micro3™/SOT-23, упаковка: Cut Tape.

IRLML2502TRPBF

Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 20 В, ток стока: I_с = 4,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 1,25 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: Micro3™/SOT-23, упаковка: Cut Tape.

IPD079N06L3GBTMA1

Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока: I_с = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 79 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.

IRFR7440TRPBF

MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 40 В, ток стока (непрерывный): I_с = 90 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 140 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D-PAK (TO-252AA), упаковка: Cut Tape.

IRFH9310TRPBF

МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока (непрерывный): I_с = 21 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 3,1 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.

IRFR4510TRPBF

Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока: I_с = 56 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 143 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

IPT007N06NATMA1

MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока: I_с = 300 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 375 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PG-HSOF-8-1, упаковка: Cut Tape.

IPB010N06NATMA1

Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока (непрерывный): I_с = 45 А (Ta), 180 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 300 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: PG-TO263-7, упаковка: Cut Tape.

BSS123NH6327XTSA1

Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока (непрерывный): I_с = 190 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 500 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: PG-SOT23-3, упаковка: Cut Tape.

IRLML2244TRPBF

Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 20 В, ток стока: I_с = 4,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 1,3 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: Micro3™/SOT-23, упаковка: Cut Tape.

IRFHS9301TRPBF

МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока: I_с = 6 А (Ta), 13 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 2,1 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: 6-PQFN (2x2), упаковка: Cut Tape.

IRLMS2002TRPBF

Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 20 В, ток стока (непрерывный): I_с = 6,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 2 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: Micro6™(SOT23-6), упаковка: Cut Tape.

IRF7410TRPBF

MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 12 В, ток стока (непрерывный): I_с = 16 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.

IRFH5300TRPBF

Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока (непрерывный): I_с = 40 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 3,6 Вт (Ta), 250 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.

Назад Вперед

Drain to Source Voltage -- напряжение сток-исток

Drive Voltage -- управляющее напряжение

Power Dissipation -- рассеиваемая мощность

Gate−to−Source Voltage − Continuous -- напряжение затвор-исток (непрерывное)

Drain Current -- ток стока

Полевые транзисторы (FET, MOSFET)