Полевые транзисторы | МОП-транзисторы | FET, MOSFET | Каталог

В нашем каталоге представлен широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов (MOSFET) ведущих мировых производителей дискретных полупроводников. У нас можно купить униполярные транзисторы с n-каналом или p-каналом, напряжение сток-исток (U_СИ) в диапазоне от 6 В до 4,5 кВ, ток стока (I_С) от 5 мА до 860 А, сопротивление в открытом состоянии (R_{СИ откр.}) от 0,4 мОм до 1 кОм, рассеиваимая мощность (P_макс.) от 80 мВт до 5 кВт.

IRF7807TRPBF

Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока (непрерывный): I_с = 8,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 2,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.

IRFR2905ZTRPBF

Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока (непрерывный): I_с = 42 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 110 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

IRLR3103TRPBF

Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока: I_с = 55 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 107 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

IRF630NSTRLPBF

МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 200 В, ток стока: I_с = 9,3 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 82 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.

IRF7815TRPBF

Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 150 В, ток стока: I_с = 5,1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.

IRF8788TRPBF

Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока: I_с = 24 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.

IRF7820TRPBF

Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 200 В, ток стока (непрерывный): I_с = 3,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.

IRF9310TRPBF

Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока (непрерывный): I_с = 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.

IRLR7843TRPBF

MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока: I_с = 161 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 140 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

IPD053N06NATMA1

MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока (непрерывный): I_с = 18 А (Ta), 45 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 3 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.

IRLZ44NSTRLPBF

Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока (непрерывный): I_с = 47 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 3,8 Вт (Ta), 110 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.

IRL540NSTRLPBF

МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока: I_с = 36 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 3,8 Вт (Ta), 140 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.

IRF7854TRPBF

МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 80 В, ток стока (непрерывный): I_с = 10 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.

IRFH5010TRPBF

Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока: I_с = 13 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 3,6 Вт (Ta), 250 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.

IRF7480MTRPBF

Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 40 В, ток стока: I_с = 217 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 96 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: DirectFET™ Isometric ME, упаковка: Cut Tape.

BSC042NE7NS3GATMA1

Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 75 В, ток стока: I_с = 19 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 2,5 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.

IRFS4410ZTRLPBF

МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока (непрерывный): I_с = 97 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 230 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.

BSC350N20NSFDATMA1

МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 200 В, ток стока (непрерывный): I_с = 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 150 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.

BSC670N25NSFDATMA1

Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 250 В, ток стока (непрерывный): I_с = 24 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 150 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.

IPD80R280P7ATMA1

Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока (непрерывный): I_с = 17 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 101 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: TO-252, упаковка: Cut Tape.

IRFS4227TRLPBF

МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 200 В, ток стока: I_с = 62 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 330 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.

IRF6643TRPBF

МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 150 В, ток стока: I_с = 6,2 А (Ta), 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 2,8 Вт (Ta), 89 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: DIRECTFET™ MZ, упаковка: Cut Tape.

IRFS7730TRL7PP

МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 75 В, ток стока (непрерывный): I_с = 240 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 375 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D2PAK (7-Lead), упаковка: Cut Tape.

IRF2804STRL7PP

MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 40 В, ток стока (непрерывный): I_с = 160 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 330 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: D2PAK (7-Lead), упаковка: Cut Tape.

IRFS7530TRL7PP

Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока (непрерывный): I_с = 240 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 375 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: D2PAK (7-Lead), упаковка: Cut Tape.

Назад Вперед

Drain to Source Voltage -- напряжение сток-исток

Drive Voltage -- управляющее напряжение

Power Dissipation -- рассеиваемая мощность

Gate−to−Source Voltage − Continuous -- напряжение затвор-исток (непрерывное)

Drain Current -- ток стока

Полевые транзисторы (FET, MOSFET)