- IRFS3004TRL7PP
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 240 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 380 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: D2PAK (7-Lead), упаковка: Cut Tape.
- IRLS4030TRLPBF
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 370 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRFS9N60ATRLPBF
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 9,2 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 170 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BBS3002-TL-1E
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 100 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 90 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: D²PAK (TO-263), упаковка: Cut Tape.
- IRLS3036TRLPBF
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 195 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 380 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRF7739L1TRPBF
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 46 А (Ta), 270 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,8 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: DIRECTFET L8, упаковка: Cut Tape.
- IPLU300N04S4R8XTMA1
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 300 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 429 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: H-PSOF-8-1, упаковка: Cut Tape.
- IPB025N08N3GATMA1
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- FDMT80060DC
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 43 А (Ta), 292 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,2 Вт (Ta), 156 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: 8-Dual Cool™88, упаковка: Cut Tape.
- IRF7769L2TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 375 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,3 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: DIRECTFET L8, упаковка: Cut Tape.
- IPB020NE7N3GATMA1
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- IPB180N10S402ATMA1
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: PG-TO263-7-3, упаковка: Cut Tape.
- IRF7779L2TRPBF
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 375 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,3 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: DIRECTFET L8, упаковка: Cut Tape.
- FDB047N10
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 375 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- IPB038N12N3GATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 120 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- IPB65R110CFDATMA1
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 31,2 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 277,8 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PG-TO263, упаковка: Cut Tape.
- IPB025N10N3GATMA1
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: PG-TO263-7, упаковка: Cut Tape.
- IPB036N12N3GATMA1
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 120 В, ток стока: Iс = 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: PG-TO263-7, упаковка: Cut Tape.
- IPB065N15N3GATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 130 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: PG-TO263-7, упаковка: Cut Tape.
- STB26NM60N
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 140 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IPT020N10N3ATMA1
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 300 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 375 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: PG-HSOF-8-1, упаковка: Cut Tape.
- STH240N75F3-6
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: H²PAK, упаковка: Cut Tape.
- SUM110N06-3M9H-E3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 110 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,75 Вт (Ta), 375 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: TO-263 (D2Pak), упаковка: Cut Tape.
- IRFS3107TRLPBF
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 195 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 370 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STV300NH02L
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 24 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: 10-PowerSO, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед