- IRFS3307ZTRLPBF
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 230 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IPB009N03LGATMA1
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 250 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: PG-TO263-7-3, упаковка: Cut Tape.
- STB9NK80Z
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 5,2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 125 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB140NF55T4
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- PSMN1R7-60BS,118
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 306 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SQD25N15-52_GE3
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 25 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 107 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- STB14NM50N
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 90 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- HUF75545S3ST
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 270 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- PSMN004-60B,118
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 230 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- PSMNR90-30BL,118
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 306 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- NTB6410ANT4G
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 76 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 188 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRL3713STRLPBF
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 260 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 330 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDB050AN06A0
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 18 А (Ta), 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 245 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- STD7N80K5
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDB045AN08A0
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 19 А (Ta), 90 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 310 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- SQM120N10-3M8_GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 375 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: TO-263 (D²Pak), упаковка: Cut Tape.
- SIE818DF-T1-E3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5,2 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: 10-PolarPAK® (L), упаковка: Cut Tape.
- FDB2532
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 8 А (Ta), 79 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 310 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRLS3034TRL7PP
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 240 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 380 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: D2PAK (7-Lead), упаковка: Cut Tape.
- IPB019N06L3GATMA1
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 250 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- SI7880ADP-T1-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5,4 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- IRLS3036TRL7PP
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 240 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 380 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D2PAK (7-Lead), упаковка: Cut Tape.
- AOB29S50L
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 29 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 357 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: TO-263 (D²Pak), упаковка: Cut Tape.
- IPB011N04LGATMA1
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 180 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PG-TO263-7-3, упаковка: Cut Tape.
- IRF3805STRLPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед