- TPW1R005PL,L1Q
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 45 В, ток стока (непрерывный): Iс = 300 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 960 мВт (Ta), 170 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: 8-DSOP Advance, упаковка: Cut Tape.
- IPB042N10N3GATMA1
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 214 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PG-TO263-3, упаковка: Cut Tape.
- SI7434DP-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 2,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,9 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI4472DY-T1-E3
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 7,7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 5,9 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IPD320N20N3GATMA1
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 34 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 136 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- STL40N75LF3
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 75 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- SIR866DP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5,4 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- IRF6636TRPBF
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 18 А (Ta), 81 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,2 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: DIRECTFET™ ST, упаковка: Cut Tape.
- IPB600N25N3GATMA1
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 25 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 136 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- BSC010N04LSIATMA1
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 37 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 139 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PG-TDSON-8 FL, упаковка: Cut Tape.
- IPB200N15N3GATMA1
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- IPB039N10N3GATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 160 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 214 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PG-TO263-7, упаковка: Cut Tape.
- IPB180P04P4L02ATMA1
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 150 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PG-TO263-7-3, упаковка: Cut Tape.
- DMTH6004SCTB-13
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 4,7 Вт (Ta), 136 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- FCD9N60NTM
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 92,6 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- BSC036NE7NS3GATMA1
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 156 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BUK764R0-75C,118
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 333 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SI7790DP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5,2 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- IRF8301MTRPBF
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 34 А (Ta), 192 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), 89 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: DIRECTFET™ MT, упаковка: Cut Tape.
- IRF6644TRPBF
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 10,3 А (Ta), 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), 89 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: DIRECTFET™ MN, упаковка: Cut Tape.
- IPL60R180P6AUMA1
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 22,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 176 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PG-VSON-4, упаковка: Cut Tape.
- SUM40N15-38-E3
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,75 Вт (Ta), 166 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: TO-263 (D2Pak), упаковка: Cut Tape.
- BSC046N10NS3GATMA1
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 17 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 156 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- FDMS7650DC
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 47 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,3 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: Dual Cool™56, упаковка: Cut Tape.
- IRF6218STRLPBF
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 27 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед