- STD95N4LF3
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 110 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- STD60N55F3
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IRF6668TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 55 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,8 Вт (Ta), 89 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: DIRECTFET™ MZ, упаковка: Cut Tape.
- NTB45N06T4G
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 45 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,4 Вт (Ta), 125 Вт (Tj), монтаж на поверхность, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- AON6280
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17 А (Ta), 85 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 7,3 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: 8-DFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- FQD4P40TM
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IRFZ44ZSTRRPBF
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 51 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 80 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BSC060N10NS3GATMA1
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 14,9 А (Ta), 90 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 125 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- STD12N50M2
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 85 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SIRA00DP-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 6,25 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI4866DY-T1-E3
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 11 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IPD031N06L3GATMA1
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 167 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- STB11NK40ZT4
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока: Iс = 9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BSC047N08NS3GATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 18 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSC010N04LSATMA1
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 38 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 139 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: PG-TDSON-8 FL, упаковка: Cut Tape.
- STD5N95K3
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 950 В, ток стока: Iс = 4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 90 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- IPD600N25N3GATMA1
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока (непрерывный): Iс = 25 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 136 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- BSC077N12NS3GATMA1
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 120 В, ток стока: Iс = 13,4 А (Ta), 98 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 139 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IRF6648TRPBF
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 86 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), 89 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: DIRECTFET™ MN, упаковка: Cut Tape.
- IPB120P04P4L03ATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 136 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PG-TO263-3-2, упаковка: Cut Tape.
- BSC190N15NS3GATMA1
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 125 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- FDMC2514SDC
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 24 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 60 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: Dual Cool ™ 33, упаковка: Cut Tape.
- BSC014N04LSIATMA1
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 31 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 96 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: PG-TDSON-8 FL, упаковка: Cut Tape.
- SQD40P10-40L_GE3
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 38 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 136 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- IRFS4620TRLPBF
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 24 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 144 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед