- IRF9510STRLPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,7 Вт (Ta), 43 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BSC031N06NS3GATMA1
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 139 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- FDS2670
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- PSMN7R6-60BS,118
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 92 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 149 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- PHB33NQ20T,118
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 32,7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 230 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IPD110N12N3GATMA1
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 120 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 136 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- SQJ431EP-T1_GE3
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 83 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FDB14N30TM
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 300 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 140 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRFZ48NSTRLPBF
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 64 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 130 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS4897NFT1G
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 17 А (Ta), 171 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 950 мВт (Ta), 96,2 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- IRF9540NSTRLPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 23 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), 110 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRF5305STRLPBF
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 31 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 110 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDD16AN08A0
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Ta), 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 135 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SI7102DN-T1-GE3
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- STD16N60M2
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDS5670
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BSC030P03NS3GAUMA1
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 25,4 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSC016N04LSGATMA1
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 31 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 139 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSB028N06NN3GXUMA1
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 22 А (Ta), 90 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,2 Вт (Ta), 78 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: MG-WDSON-2, CanPAK M™, упаковка: Cut Tape.
- FQB19N20LTM
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 21 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,13 Вт (Ta), 140 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- FQB12P20TM
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 11,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,13 Вт (Ta), 120 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- SIR494DP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 6,25 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- DMP2002UPS-13
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- IPD053N08N3GATMA1
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 90 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 150 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- SI4408DY-T1-E3
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед