- IPD90P03P4L04ATMA1
MOSFET транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 90 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 137 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- STD3N80K5
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 60 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDS6675
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDS3572
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 8,9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- TPH1110FNH,L1Q
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), 57 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- IRLR3110ZTRPBF
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 42 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 140 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- NDS8434
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 6,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI4062DY-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 32,1 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 7,8 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BSC010NE2LSI
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 38 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 96 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSC123N10LSGATMA1
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 10,6 А (Ta), 71 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 114 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- FDS8870
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 18 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IRF540NSTRLPBF
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 33 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 130 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDD10AN06A0
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 11 А (Ta), 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 135 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- SI7460DP-T1-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,9 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7456CDP-T1-GE3
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 27,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5 Вт (Ta), 35,7 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SPD50P03L G
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 150 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: PG-TO252-5, упаковка: Cut Tape.
- BUK9606-40B,118
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 203 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86102LZ
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 7 А (Ta), 22 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- FDS8638
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 18 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IPB054N08N3GATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 150 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- FDMC86520L
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13,5 А (Ta), 22 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- FDB8447L
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 15 А (Ta), 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), 60 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- IRFH5053TRPBF
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,3 А (Ta), 46 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 8,3 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PQFN (5x6) Single Die, упаковка: Cut Tape.
- SI6423DQ-T1-E3
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,05 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-TSSOP, упаковка: Cut Tape.
- ZXMP6A18KTC
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,15 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед