- BSZ018NE2LSATMA1
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 23 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: PG-TSDSON-8-FL, упаковка: Cut Tape.
- BSC130P03LSGAUMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Ta), 22,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSC070N10NS5ATMA1
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSC900N20NS3GATMA1
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 15,2 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 62,5 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSC039N06NSATMA1
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 19 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- FDMS8670S
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Ta), 42 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 78 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: Power56, упаковка: Cut Tape.
- STD9NM40N
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 60 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SQJ488EP-T1_GE3
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 42 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 83 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- IRF9Z34NSTRLPBF
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 19 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,8 Вт (Ta), 68 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SI4896DY-T1-GE3
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 6,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,56 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BSC016N03MSGATMA1
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 28 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- TK7P60W5,RVQ
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 60 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- TPH6400ENH,L1Q
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 13 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), 57 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- SIJ478DP-T1-GE3
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5 Вт (Ta), 62,5 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS4833NT3G
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 16 А (Ta), 156 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 910 мВт (Ta), 125 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- IPD034N06N3GATMA1
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 167 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- SI7454DP-T1-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,9 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7818DN-T1-E3
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7818DN-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 2,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- BUK7Y4R8-60EX
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 238 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- FDD86250
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 8 А (Ta), 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 132 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- FDMS8680
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 14 А (Ta), 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: Power56, упаковка: Cut Tape.
- STD95N2LH5
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 70 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BSC500N20NS3GATMA1
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 24 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 96 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IRF640NSTRLPBF
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед