- FCD600N60Z
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 7,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 89 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- ATP114-TL-H
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 55 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 60 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: ATPAK, упаковка: Cut Tape.
- IRFH7446TRPBF
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 85 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 78 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: 8-PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- PSMN8R0-40BS,118
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 77 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 86 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- PSMN015-60BS,118
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 86 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- AON6411
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 47 А (Ta), 85 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 7,3 Вт (Ta), 156 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: 8-DFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- BSC190N12NS3GATMA1
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 120 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,6 А (Ta), 44 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 69 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- FCD5N60TM
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 54 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- PSMN034-100BS,118
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 32 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 86 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDM3622
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- IRLR3636TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 143 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SI7114DN-T1-E3
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- FDD86102
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Ta), 36 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), 62 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- SI4477DY-T1-GE3
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 26,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 6,6 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDD8870
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 21 А (Ta), 160 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 160 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- BSC011N03LSATMA1
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 37 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 96 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSC070N10NS3GATMA1
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 90 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 114 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSZ042N06NSATMA1
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 17 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PG-TSDSON-8-FL, упаковка: Cut Tape.
- SI7110DN-T1-E3
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 13,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- TPH3300CNH,L1Q
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), 57 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- FDMS7660AS
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 26 А (Ta), 42 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- BSC010NE2LSATMA1
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 39 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 96 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IPD90P04P405ATMA1
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 90 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 125 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PG-TO252-3-313, упаковка: Cut Tape.
- IPD90P04P4L04ATMA1
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 90 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 125 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PG-TO252-3-313, упаковка: Cut Tape.
- SIRA20DP-T1-RE3
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 81,7 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 6,25 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед