- ZXMP4A16KTC
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 6,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,15 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- BSZ160N10NS3GATMA1
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 8 А (Ta), 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), 63 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IRFR6215TRPBF
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 13 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 110 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IRFR6215TRLPBF
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SI7635DP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5 Вт (Ta), 54 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- BUK96180-100A,118
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 11 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 54 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRFR3504ZTRPBF
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 42 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 90 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SI4884BDY-T1-E3
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 4,45 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI7820DN-T1-E3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- FDD8453LZ
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16,4 А (Ta), 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), 65 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- IRF7470TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 10 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDS4672A
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- PSMN1R0-30YLC,115
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 272 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- IRFR4615TRLPBF
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 33 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 144 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SIR468DP-T1-GE3
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SIS468DN-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,7 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN1R3-30YL,115
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 121 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- BSC027N04LSGATMA1
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 24 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IRFR13N20DTRPBF
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 13 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 110 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SI4164DY-T1-GE3
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 6 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IRLR3114ZTRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 42 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 140 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IRF7493TRPBF
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 9,3 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SIR418DP-T1-GE3
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 39 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FDD8647L
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Ta), 42 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), 43 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- SPD04N50C3ATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 4,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 50 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PG-TO252-3-1, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед