- FDC8601
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: 6-SSOT, упаковка: Cut Tape.
- STS5NF60L
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- AOD4S60
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 56,8 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- MIC94030YM4-TR
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 16 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 568 мВт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: SOT-143, упаковка: Cut Tape.
- IRFR2405TRPBF
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 56 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 110 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y6R0-60E,115
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 195 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- ZVN4424GTA
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 240 В, ток стока: Iс = 500 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y19-75B,115
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 48,2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 106 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- SI7317DN-T1-GE3
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 2,8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,2 Вт (Ta), 19,8 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- STD2N62K3
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 620 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,2 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 45 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDT86106LZ
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 3,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,2 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- SI7308DN-T1-E3
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,2 Вт (Ta), 19,8 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS5C670NLT1G
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 17 А (Ta), 71 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,6 Вт (Ta), 61 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- IRF6216TRPBF
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- DN3145N8-G
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 450 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,3 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: TO-243AA (SOT-89), упаковка: Cut Tape.
- IRLR120TRPBF
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IRFR224TRPBF
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SQJ459EP-T1_GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 52 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 83 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- BSZ520N15NS3GATMA1
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 21 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 57 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- FQD2N90TM
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 900 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SI4427BDY-T1-E3
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 9,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDD8445
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 70 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 79 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- FDD6685
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 11 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 52 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- BUK6211-75C,118
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 74 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 158 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SISA04DN-T1-GE3
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,7 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед