Полевые транзисторы | МОП-транзисторы | FET, MOSFET | Каталог

В нашем каталоге представлен широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов (MOSFET) ведущих мировых производителей дискретных полупроводников. У нас можно купить униполярные транзисторы с n-каналом или p-каналом, напряжение сток-исток (U_СИ) в диапазоне от 6 В до 4,5 кВ, ток стока (I_С) от 5 мА до 860 А, сопротивление в открытом состоянии (R_{СИ откр.}) от 0,4 мОм до 1 кОм, рассеиваимая мощность (P_макс.) от 80 мВт до 5 кВт.

STB14NK50ZT4

МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 500 В, ток стока: I_с = 14 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 150 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.

STB80N20M5

МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 200 В, ток стока (непрерывный): I_с = 61 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 190 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.

STB21NM60ND

MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 600 В, ток стока (непрерывный): I_с = 17 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 140 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.

STB32N65M5

Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 650 В, ток стока: I_с = 24 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 150 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.

2N7002H6327XTSA2

МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока (непрерывный): I_с = 300 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 500 мВт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: PG-SOT23-3, упаковка: Cut Tape.

BSS84PH6327XTSA2

Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока: I_с = 170 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 360 мВт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: PG-SOT23-3, упаковка: Cut Tape.

IPN60R3K4CEATMA1

Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 600 В, ток стока (непрерывный): I_с = 2,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 5 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: PG-SOT223, упаковка: Cut Tape.

IRLML2246TRPBF

МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 20 В, ток стока (непрерывный): I_с = 2,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 1,3 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: Micro3™/SOT-23, упаковка: Cut Tape.

BSS192PH6327FTSA1

Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 250 В, ток стока: I_с = 190 мА (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 1 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: PG-SOT89, упаковка: Cut Tape.

IRFL014NTRPBF

Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока (непрерывный): I_с = 1,9 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 1 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: SOT-223, упаковка: Cut Tape.

BSP318SH6327XTSA1

Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока: I_с = 2,6 А (Tj), рассеиваемая мощность: P_D = 1,8 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: PG-SOT223-4, упаковка: Cut Tape.

IPD60R1K5CEAUMA1

Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 650 В, ток стока: I_с = 5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 49 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: PG-TO-252, упаковка: Cut Tape.

IRF7201TRPBF

Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока (непрерывный): I_с = 7,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 2,5 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.

IPD70R900P7SAUMA1

Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 700 В, ток стока (непрерывный): I_с = 6 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 30,5 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.

IPD78CN10NGATMA1

Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока: I_с = 13 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 31 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.

IRF7204TRPBF

Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 20 В, ток стока: I_с = 5,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 2,5 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.

IRFHM830TRPBF

МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока (непрерывный): I_с = 21 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 2,7 Вт (Ta), 37 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PQFN (3x3), упаковка: Cut Tape.

IRF7241TRPBF

MOSFET транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 40 В, ток стока: I_с = 6,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 2,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.

IRF9321TRPBF

Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока (непрерывный): I_с = 15 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 2,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.

IRF7821TRPBF

Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока (непрерывный): I_с = 13,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.

IRFL4105TRPBF

МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока: I_с = 3,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 1 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: SOT-223, упаковка: Cut Tape.

IRF7401TRPBF

MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 20 В, ток стока (непрерывный): I_с = 8,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.

IRF7410GTRPBF

Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 12 В, ток стока: I_с = 16 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.

IRF7416TRPBF

MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока: I_с = 10 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.

IPD135N08N3GATMA1

Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 80 В, ток стока: I_с = 45 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 79 Вт (Tc), корпус детали: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.

Назад Вперед

Drain to Source Voltage -- напряжение сток-исток

Drive Voltage -- управляющее напряжение

Power Dissipation -- рассеиваемая мощность

Gate−to−Source Voltage − Continuous -- напряжение затвор-исток (непрерывное)

Drain Current -- ток стока

Полевые транзисторы (FET, MOSFET)