- SQJ858AEP-T1_GE3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 58 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 48 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- BSC067N06LS3GATMA1
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 15 А (Ta), 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN1R4-30YLDX
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 166 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- FDS3692
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 4,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI8429DB-T1-E1
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 8 В, ток стока: Iс = 11,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,77 Вт (Ta), 6,25 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: 4-Microfoot, упаковка: Cut Tape.
- SI7309DN-T1-GE3
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,2 Вт (Ta), 19,8 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7309DN-T1-E3
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,2 Вт (Ta), 19,8 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- FDMC3612
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,3 А (Ta), 16 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 35 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- FDD3706
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14,7 А (Ta), 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 44 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D-PAK (TO-252AA), упаковка: Cut Tape.
- FDMS7672AS
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 19 А (Ta), 42 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 46 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- NTTFS5C454NLTAG
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Ta), 85 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,2 Вт (Ta), 55 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: 8-WDFN (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- BSZ067N06LS3GATMA1
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Ta), 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN7R0-60YS,115
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 89 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 117 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- FDMC2523P
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 3 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 42 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- BUK9212-55B,118
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 167 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- PSMN022-30BL,118
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 41 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- DN3135N8-G
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 350 В, ток стока: Iс = 135 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1,3 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: TO-243AA (SOT-89), упаковка: Cut Tape.
- STD20NF06T4
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 24 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 60 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- BSZ123N08NS3GATMA1
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 10 А (Ta), 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), 66 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- SIA432DJ-T1-GE3
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,5 Вт (Ta), 19,2 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- SIR850DP-T1-GE3
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 4,8 Вт (Ta), 41,7 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI3438DV-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), 3,5 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- FDD390N15A
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 26 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 63 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- ZVP2110GTA
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 310 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- IRLR2908TRLPBF
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 120 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед