- SI4436DY-T1-E3
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 5 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- NTTFS5C673NLTAG
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 13 А (Ta), 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), 46 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: 8-WDFN (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- ZVNL120GTA
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 320 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- FDMA8878
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Ta), 10 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,4 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: 6-MicroFET (2x2), упаковка: Cut Tape.
- BSC030N04NSGATMA1
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 23 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IPD088N06N3GBTMA1
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 71 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- IRFR9210TRPBF
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 1,9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 25 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IRFR9220TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 3,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FDS8449
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 7,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- CXDM4060P TR
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,2 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: SOT-89, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS4C03NT1G
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Ta), 136 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), 64 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- BSC035N04LSGATMA1
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 21 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- FDMA86151L
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 3,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,4 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: 6-MicroFET (2x2), упаковка: Cut Tape.
- FDD86252
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Ta), 27 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), 89 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- FDS86106
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 5 Вт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BSZ900N15NS3GATMA1
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 38 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- MIC94053YC6-TR
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 6 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 270 мВт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: SC-70-6, упаковка: Cut Tape.
- AO4294
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 11,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IRFR9120TRPBF
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- BSC160N10NS3GATMA1
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 8,8 А (Ta), 42 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 60 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- ZVNL110GTA
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 600 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,1 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- PHT6NQ10T,135
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,8 Вт (Ta), 8,3 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- SIA421DJ-T1-GE3
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,5 Вт (Ta), 19 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- BSZ22DN20NS3GATMA1
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 34 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSZ42DN25NS3GATMA1
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 33,8 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед