- ZVN4525ZTA
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 240 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,2 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: SOT-89-3, упаковка: Cut Tape.
- SIRA12DP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 25 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 4,5 Вт (Ta), 31 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FDD86102LZ
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 8 А (Ta), 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 54 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- FDS6294
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IPD30N10S3L34ATMA1
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 57 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- ZXMP6A16KTC
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,11 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- IPD50P04P4L11ATMA1
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 58 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PG-TO252-3-313, упаковка: Cut Tape.
- SIA415DJ-T1-GE3
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,5 Вт (Ta), 19 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- FDN86246
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 1,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
- DMG4413LSS-13
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 10,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,7 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: 8-SOP, упаковка: Cut Tape.
- IRLR024TRPBF
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SI4835DDY-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 13 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 5,6 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- PSMN2R2-25YLC,115
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 106 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- TPN13008NH,L1Q
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), 42 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: 8-TSON Advance (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- FDS8817NZ
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 15 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDS6680AS
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 11,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- NTD20N06LT4G
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 20 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,36 Вт (Ta), 60 Вт (Tj), SMT-монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- NTD20N06T4G
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,88 Вт (Ta), 60 Вт (Tj), монтаж на поверхность, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- AON7418
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 46 А (Ta), 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 6,2 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: 8-DFN-EP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- BSC123N08NS3GATMA1
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Ta), 55 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 66 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- DN3135K1-G
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 350 В, ток стока: Iс = 72 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 360 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- FDS6676AS
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 14,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BSC076N06NS3GATMA1
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- PMK35EP,518
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14,9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 6,9 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDMA86551L
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 7,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,4 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: 6-MicroFET (2x2), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед