- SIS407ADN-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,7 Вт (Ta), 39,1 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- IRFR9014TRPBF
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,1 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 25 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FDS6670A
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 13 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- NTD24N06LT4G
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 24 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,36 Вт (Ta), 62,5 Вт (Tj), SMT-монтаж, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK9275-100A,118
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 21,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 88 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SI1411DH-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 420 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), монтаж на поверхность, упаковка: Cut Tape.
- FQD19N10LTM
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 15,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- BSC110N06NS3GATMA1
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- SI3458BDV-T1-GE3
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 4,1 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), 3,3 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- BSZ100N06LS3GATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 11 А (Ta), 20 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- FQD17P06TM
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 44 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- PSMN2R2-30YLC,115
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 141 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- FQD3N60CTM-WS
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 2,4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 50 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- TN2106K1-G
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 280 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Tc), SMD-монтаж, корпус: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- DMP4015SPSQ-13
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 8,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,3 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- FDMS8622
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 4,8 А (Ta), 16,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 31 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- SQS484EN-T1_GE3
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 62 Вт (Tc), монтаж SMD, упаковка: Cut Tape.
- IRFR5305TRLPBF
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 31 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 110 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FDN8601
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
- NTD20P06LT4G
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 65 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDS6375
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FQD2N60CTM
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 44 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- PSMN4R0-40YS,115
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 106 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- BUK9226-75A,118
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 45 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 114 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- ZVN2106GTA
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 710 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед