- SI5406CDC-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), 5,7 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: 1206-8 ChipFET™, упаковка: Cut Tape.
- SIR836DP-T1-GE3
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 21 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,9 Вт (Ta), 15,6 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SIS414DN-T1-GE3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,4 Вт (Ta), 31 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- DMP6023LSS-13
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 6,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,2 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- ZXMP10A17E6QTA
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,1 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: SOT-26, упаковка: Cut Tape.
- NTTFS4C05NTAG
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 12 А (Ta), 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 820 мВт (Ta), 33 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: 8-WDFN (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- CMUDM7005 TR
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 650 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 300 мВт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: SOT-523, упаковка: Cut Tape.
- BSC052N03LSATMA1
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 17 А (Ta), 57 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 28 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- SISS27DN-T1-GE3
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 4,8 Вт (Ta), 57 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- SI4431BDY-T1-E3
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 5,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- TPN11006NL,LQ
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 17 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), 30 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: 8-TSON Advance (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- ZXMP7A17GTA
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 70 В, ток стока: Iс = 2,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y09-40B,115
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 105,3 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- RFD14N05SM9A
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока: Iс = 14 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 48 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- FDC606P
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: SuperSOT™-6, упаковка: Cut Tape.
- RFD14N05LSM9A
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 48 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- ZXMP6A17KTC
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,11 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- SI4666DY-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 16,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 5 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- CPC5602CTR
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 350 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- IRFR5505TRPBF
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 18 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 57 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FDD306P
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 6,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 52 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- IRLL3303TRPBF
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- BSC050N04LSGATMA1
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 18 А (Ta), 85 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 57 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BUK6217-55C,118
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 44 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 80 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- AOD7N65
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 178 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед