- BSC050N03LSGATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Ta), 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSZ110N06NS3GATMA1
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSZ086P03NS3GATMA1
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13,5 А (Ta), 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- ZXM62P03E6TA
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 625 мВт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: SOT-26, упаковка: Cut Tape.
- ZXM62P02E6TA
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,1 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: SOT-23-6, упаковка: Cut Tape.
- DMP4015SSS-13
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 9,1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,45 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- DMP3020LSS-13
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: 8-SOP, упаковка: Cut Tape.
- ZVN4206AVSTZ
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 600 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), монтаж в отверстия, заводской корпус: E-Line (TO-92 compatible), упаковка: Cut Tape.
- IRFR220TRPBF
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- IRLR110TRPBF
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 4,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 25 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- BSC050NE2LSATMA1
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 39 А (Ta), 58 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 28 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- ZVNL110ASTZ
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 320 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 700 мВт (Ta), монтаж в отверстия, корпус детали: E-Line (TO-92 compatible), упаковка: Cut Tape.
- PMPB11EN,115
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,7 Вт (Ta), 12,5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: 6-DFN2020MD (2x2), упаковка: Cut Tape.
- BSZ086P03NS3EGATMA1
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 13,5 А (Ta), 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- FDS9431A
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDD1600N10ALZ
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 6,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 14,9 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SI4174DY-T1-GE3
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 5 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- ZXMN6A08GTA
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- ZXMP6A13GTA
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 1,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- ZXMN10A11GTA
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 1,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- SVD5865NLT4G
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Ta), 46 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 71 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDD8780
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 50 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- NTTFS4932NTAG
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 11 А (Ta), 79 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 850 мВт (Ta), 43 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: 8-WDFN (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- NTTFS4C08NTAG
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 9,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 820 мВт (Ta), 25,5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: 8-WDFN (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- ZXMN3A03E6TA
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,1 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: SOT-23-6, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед