- NTF3055-100T1G
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,3 Вт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: SOT-223 (TO-261), упаковка: Cut Tape.
- SIA437DJ-T1-GE3
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 29,7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,5 Вт (Ta), 19 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- PSMN4R0-30YLDX
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 95 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 64 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- BSZ097N04LSGATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 12 А (Ta), 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), 35 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSC054N04NSGATMA1
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 17 А (Ta), 81 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 57 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- MTM232230LBF
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 4,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: SMini3-G1-B, упаковка: Cut Tape.
- DMP2022LSS-13
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 10 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: 8-SOP, упаковка: Cut Tape.
- SIA433EDJ-T1-GE3
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,5 Вт (Ta), 19 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- FDMA7628
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 9,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,9 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: 6-MicroFET (2x2), упаковка: Cut Tape.
- SQ3427AEEV-T1_GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 5,3 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- DMP4050SSS-13
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 4,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,56 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- TPN4R712MD,L1Q
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 36 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 42 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: 8-TSON Advance (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- FQD13N06LTM
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 28 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FQN1N50CTA
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 380 мА (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 890 мВт (Ta), 2,08 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-92-3, упаковка: Cut Tape.
- ZVP3310FTA
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 330 мВт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- TPN2R304PL,L1Q
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 630 мВт (Ta), 104 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: 8-TSON Advance (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- DMN6013LFG-7
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 10,3 А (Ta), 45 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- RHP020N06T100
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус: MPT3, упаковка: Cut Tape.
- CPC3703CTR
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 360 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,1 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: SOT-89-3, упаковка: Cut Tape.
- BSS192,115
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 240 В, ток стока: Iс = 200 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 560 мВт (Ta), 12,5 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: SOT-89-3, упаковка: Cut Tape.
- IRF7205TRPBF
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BSZ440N10NS3GATMA1
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 5,3 А (Ta), 18 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 29 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- STS1NK60Z
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 250 мА (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDD8896
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 17 А (Ta), 94 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 80 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- FDS6670AS
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед