Полевые транзисторы | МОП-транзисторы | FET, MOSFET | Каталог

В нашем каталоге представлен широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов (MOSFET) ведущих мировых производителей дискретных полупроводников. У нас можно купить униполярные транзисторы с n-каналом или p-каналом, напряжение сток-исток (U_СИ) в диапазоне от 6 В до 4,5 кВ, ток стока (I_С) от 5 мА до 860 А, сопротивление в открытом состоянии (R_{СИ откр.}) от 0,4 мОм до 1 кОм, рассеиваимая мощность (P_макс.) от 80 мВт до 5 кВт.

IRL2505STRLPBF

МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока: I_с = 104 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 3,8 Вт (Ta), 200 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.

IRFS4610TRLPBF

MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока: I_с = 73 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 190 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.

IRFS4010TRL7PP

МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока (непрерывный): I_с = 190 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 380 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.

BSC120N03LSGATMA1

МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока (непрерывный): I_с = 12 А (Ta), 39 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 2,5 Вт (Ta), 28 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.

IRFL024NTRPBF

Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока: I_с = 2,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 1 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.

IRLR8721TRPBF

Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока (непрерывный): I_с = 65 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 65 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

IRFR15N20DTRPBF

MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 200 В, ток стока: I_с = 17 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 3 Вт (Ta), 140 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: D-PAK (TO-252AA), упаковка: Cut Tape.

SPB21N50C3ATMA1

MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 560 В, ток стока (непрерывный): I_с = 21 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 208 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: PG-TO263-3-2, упаковка: Cut Tape.

BSC080N03MSGATMA1

МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока: I_с = 13 А (Ta), 53 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 2,5 Вт (Ta), 35 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.

IPB067N08N3GATMA1

МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 80 В, ток стока: I_с = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 136 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.

BSP92PH6327XTSA1

MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 250 В, ток стока: I_с = 260 мА (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 1,8 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус: PG-SOT223-4, упаковка: Cut Tape.

IPD80R900P7ATMA1

Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока: I_с = 6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 45 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.

IRFR7740TRPBF

MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 75 В, ток стока: I_с = 87 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 140 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D-PAK (TO-252AA), упаковка: Cut Tape.

STD12NF06LT4

Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока: I_с = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 42,8 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

STD16NF06T4

Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока: I_с = 16 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 40 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.

IPD60R180P7ATMA1

MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 650 В, ток стока (непрерывный): I_с = 18 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 72 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.

STD20NF06LT4

Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока: I_с = 24 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 60 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

STD15NF10T4

МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока: I_с = 23 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 70 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

STD30NF06T4

Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока (непрерывный): I_с = 28 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 70 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

STD2NK90ZT4

Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 900 В, ток стока (непрерывный): I_с = 2,1 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 70 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

STD3NK90ZT4

Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 900 В, ток стока: I_с = 3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 90 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.

STB6N80K5

МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока: I_с = 4,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 85 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.

STB35NF10T4

Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока (непрерывный): I_с = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 115 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.

STD10NM60N

Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 600 В, ток стока: I_с = 10 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 70 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.

STD10NM60ND

MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 600 В, ток стока (непрерывный): I_с = 8 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 70 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.

Назад Вперед

Drain to Source Voltage -- напряжение сток-исток

Drive Voltage -- управляющее напряжение

Power Dissipation -- рассеиваемая мощность

Gate−to−Source Voltage − Continuous -- напряжение затвор-исток (непрерывное)

Drain Current -- ток стока

Полевые транзисторы (FET, MOSFET)