- RQ6P015SPTR
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 600 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: TSMT6 (SC-95), упаковка: Cut Tape.
- AO4449
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- FDS8884
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 8,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- DMN100-7-F
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 1,1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус: SC-59-3, упаковка: Cut Tape.
- SIA400EDJ-T1-GE3
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 19,2 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- SI2306BDS-T1-E3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,16 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 750 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- BSZ340N08NS3GATMA1
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 6 А (Ta), 23 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), 32 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSC120N03MSGATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Ta), 39 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 28 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- FDC658P
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: SuperSOT™-6, упаковка: Cut Tape.
- FDS8878
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 10,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDC855N
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 6,1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: SuperSOT™-6, упаковка: Cut Tape.
- BSC340N08NS3GATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 7 А (Ta), 23 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 32 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- RTF025N03TL
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 2,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 800 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: TUMT3, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y104-100B,115
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 14,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 59 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- SISA18ADN-T1-GE3
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 38,3 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,2 Вт (Ta), 19,8 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- NTR3A30PZT1G
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 480 мВт (Ta), тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- SI2329DS-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 8 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- DMP6180SK3-13
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,7 Вт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- RUR040N02TL
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: TSMT3, упаковка: Cut Tape.
- DMN10H170SK3-13
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 42 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- FDS8880
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- ZXMN10A07ZTA
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: SOT-89-3, упаковка: Cut Tape.
- BUK92150-55A,118
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 36 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- AON7403
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Ta), 29 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), 25 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: 8-DFN (3x3), упаковка: Cut Tape.
- NTD3055-094T4G
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), 48 Вт (Tj), монтаж на поверхность, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед