- SI3442BDV-T1-E3
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 860 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- DMP4051LK3-13
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,14 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- SQ2362ES-T1_GE3
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Tc), монтаж SMD, упаковка: Cut Tape.
- SI3476DV-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 4,6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), 3,6 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- DMT6016LSS-13
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 9,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- DMN13H750S-7
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 130 В, ток стока: Iс = 1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 770 мВт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- SIA427ADJ-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 8 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 19 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- AOD2N60
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 2 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 56,8 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- AON2408
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,8 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: 6-DFN-EP (2x2), упаковка: Cut Tape.
- PSMN7R0-30YLC,115
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 61 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 48 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- SIA427DJ-T1-GE3
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 8 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,5 Вт (Ta), 19 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- ZXMN2A14FTA
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- SI5457DC-T1-GE3
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5,7 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: 1206-8 ChipFET™, упаковка: Cut Tape.
- PSMN030-60YS,115
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 29 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 56 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- BSH108,215
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 830 мВт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- DMN6040SFDE-7
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 660 мВт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: U-DFN2020-6 (Type E), упаковка: Cut Tape.
- AOD454A
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 20 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 37 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- SIA448DJ-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,5 Вт (Ta), 19,2 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- DMN6040SVT-7
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,2 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: TSOT-26, упаковка: Cut Tape.
- DMT5015LFDF-7
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 820 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус: 6-UDFN2020 (2x2), упаковка: Cut Tape.
- DMT6016LFDF-7
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 820 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: 6-UDFN (2x2), упаковка: Cut Tape.
- IRL6342TRPBF
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- NTD5867NLT4G
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 20 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 36 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- PMV32UP,215
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 510 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- FDC608PZ
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: SuperSOT™-6, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед