- NTD3055L104T4G
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 12 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), 48 Вт (Tj), монтаж SMD, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SQ3456BEV-T1_GE3
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 4 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- SQ2319ADS-T1_GE3
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- DMT6016LPS-13
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 10,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,23 Вт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- SQ2337ES-T1_GE3
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- SI2316DS-T1-E3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 2,9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- STL8P2UH7
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,4 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: PowerFlat™ (2x2), упаковка: Cut Tape.
- FDS9435A
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- NTNS3193NZT5G
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 224 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 120 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: 3-XLLGA (0.62x0.62), упаковка: Cut Tape.
- FDD6630A
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 21 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 28 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- SIA453EDJ-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 24 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,5 Вт (Ta), 19 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- PSMN026-80YS,115
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 34 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 74 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- SIA441DJ-T1-GE3
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 19 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- NTD3055L170T4G
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), 28,5 Вт (Tj), монтаж SMD, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDS6630A
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 6,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- PSMN5R0-30YL,115
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 91 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 61 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- FDD6N25TM
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 4,4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 50 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- ZXMP2120FFTA
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 137 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: SOT-23F, упаковка: Cut Tape.
- DMN3730UFB4-7
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 750 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 470 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: X2-DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
- DMP3010LK3Q-13
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 17 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,7 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- SIRA18DP-T1-GE3
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 33 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,3 Вт (Ta), 14,7 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FDC653N
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: SuperSOT™-6, упаковка: Cut Tape.
- SI2314EDS-T1-E3
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,77 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 750 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- SI4178DY-T1-GE3
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,4 Вт (Ta), 5 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BSS159NH6906XTSA1
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 230 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: PG-SOT23-3, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед