- DMN2230U-7
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 600 мВт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN3200U-7
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 2,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 650 мВт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- SIA447DJ-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 19 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- BSH114,215
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 500 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Ta), 830 мВт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- DMP3008SFG-7
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 8,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 900 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- AON7534
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 20 А (Ta), 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 23 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: 8-DFN (3x3), упаковка: Cut Tape.
- AO4576
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 20 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- FDC634P
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус: SuperSOT™-6, упаковка: Cut Tape.
- FDN361BN
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y107-80EX
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 11,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 37 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- SIA817EDJ-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 4,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,9 Вт (Ta), 6,5 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SC-70-6 Dual, упаковка: Cut Tape.
- SI1480DH-T1-GE3
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 2,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), 2,8 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: SC-70-6 (SOT-363), упаковка: Cut Tape.
- SI3407DV-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 4,2 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- FDC642P
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: SuperSOT™-6, упаковка: Cut Tape.
- PSMN9R1-30YL,115
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 57 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 52 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- AON2290
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 4,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,8 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: 6-DFN-EP (2x2), упаковка: Cut Tape.
- BSS87,115
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 400 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 580 мВт (Ta), 12,5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: SOT-89-3, упаковка: Cut Tape.
- SI3421DV-T1-GE3
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), 4,2 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS4925NT1G
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,7 А (Ta), 48 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 920 мВт (Ta), 23,2 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- FDC604P
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 5,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: SuperSOT™-6, упаковка: Cut Tape.
- SI2318DS-T1-GE3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 750 мВт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- NTD4969NT4G
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,4 А (Ta), 41 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,38 Вт (Ta), 26,3 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- RSR020N06TL
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 540 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: TSMT3, упаковка: Cut Tape.
- SI2343DS-T1-E3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3,1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 750 мВт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- SI3443BDV-T1-E3
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,1 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед