- NVR1P02T1G
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 400 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- AO6400
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 6,9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- AOD514
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 17 А (Ta), 46 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- MCH3474-TL-W
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: SC-70FL/MCPH3, упаковка: Cut Tape.
- DMN4800LSS-13
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,46 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: 8-SOP, упаковка: Cut Tape.
- SI3474DV-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 3,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,6 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- SQ1421EDH-T1_GE3
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 1,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,3 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: SC-70-6 (SOT-363), упаковка: Cut Tape.
- RRR015P03TL
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 540 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: TSMT3, упаковка: Cut Tape.
- SSM3K341R,LF
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,2 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: SOT-23F, упаковка: Cut Tape.
- ZXMN2A01FTA
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 625 мВт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- AO4468
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 10,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- RUR020N02TL
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 540 мВт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: TSMT3, упаковка: Cut Tape.
- RZR020P01TL
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: TSMT3, упаковка: Cut Tape.
- BSR802NL6327HTSA1
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: PG-SC-59, упаковка: Cut Tape.
- PSMN011-30YLC,115
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 37 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 29 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- ZXM61N03FTA
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 625 мВт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- SSM6K202FE,LF
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: ES6 (1.6x1.6), упаковка: Cut Tape.
- SSM3K337R,LF
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 38 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: SOT-23F, упаковка: Cut Tape.
- SI1422DH-T1-GE3
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,56 Вт (Ta), 2,8 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: SC-70-6 (SOT-363), упаковка: Cut Tape.
- SSM6K513NU,LF
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 15 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,25 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: 6-UDFNB (2x2), упаковка: Cut Tape.
- CPH3462-TL-W
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: 3-CPH, упаковка: Cut Tape.
- DMN6040SSS-13
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- RZF020P01TL
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 800 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: TUMT3, упаковка: Cut Tape.
- FDC654P
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: SuperSOT™-6, упаковка: Cut Tape.
- FDG316P
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 1,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 750 мВт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: SC-70-6, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед