- SSM6J512NU,LF
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 10 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,25 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: 6-UDFNB (2x2), упаковка: Cut Tape.
- NTD14N03RT4G
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,04 Вт (Ta), 20,8 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- DMP2240UW-7
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- DMP2035UVT-7
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,2 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: TSOT-26, упаковка: Cut Tape.
- SSM3K116TU,LF
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: UFM, упаковка: Cut Tape.
- NVR5198NLT1G
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 900 мВт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- SSM6J501NU,LF
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 10 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: 6-UDFNB (2x2), упаковка: Cut Tape.
- RUF015N02TL
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 1,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 800 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: TUMT3, упаковка: Cut Tape.
- SI2307CDS-T1-E3
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,1 Вт (Ta), 1,8 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- SI1330EDL-T1-E3
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 240 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 280 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: SC-70-3, упаковка: Cut Tape.
- PMV48XPAR
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 510 мВт (Ta), 4,15 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- ZXMN3F30FHTA
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 950 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- SI3443CDV-T1-GE3
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,97 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), 3,2 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- DMP2066LDM-7
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,25 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: SOT-26, упаковка: Cut Tape.
- PMK50XP,518
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 7,9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SIA461DJ-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,4 Вт (Ta), 17,9 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- DMP3050LVT-7
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 4,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,8 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: TSOT-26, упаковка: Cut Tape.
- FQN1N60CTA
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 300 мА (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), 3 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-92-3, упаковка: Cut Tape.
- SI3443DV
MOSFET транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: 6-SSOT, упаковка: Cut Tape.
- NTHD3101FT1G
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3,2 А (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,1 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: ChipFET™, упаковка: Cut Tape.
- FDG410NZ
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 420 мВт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: SC-70-6, упаковка: Cut Tape.
- DMN61D8L-7
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 470 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 390 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- AO6420
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- DMP2018LFK-7
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 9,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: U-DFN2523-6, упаковка: Cut Tape.
- AO4752
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 15 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед