- RRR040P03TL
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: TSMT3, упаковка: Cut Tape.
- PMV30XPEAR
MOSFET транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 4,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 490 мВт (Ta), 5,435 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- SI2303CDS-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 2,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), 2,3 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- DMN4060SVT-7
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 45 В, ток стока: Iс = 4,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,2 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус: TSOT-26, упаковка: Cut Tape.
- SI3456DDV-T1-GE3
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,7 Вт (Ta), 2,7 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- SSM3K318R,LF
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 2,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: SOT-23F, упаковка: Cut Tape.
- DMN3016LFDE-7
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 10 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 730 мВт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: U-DFN2020-6 (Type E), упаковка: Cut Tape.
- PMF370XN,115
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 870 мА (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 560 мВт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: SOT-323-3, упаковка: Cut Tape.
- NTGS3443T1G
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- DMG4466SSS-13
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 10 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,42 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: 8-SOP, упаковка: Cut Tape.
- BSH201,215
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 300 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 417 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- DMN1019USN-7
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 9,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 680 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: SC-59, упаковка: Cut Tape.
- CPH3351-TL-W
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 1,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: 3-CPH, упаковка: Cut Tape.
- DMN2990UFA-7B
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 510 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 400 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: 3-X2-DFN0806, упаковка: Cut Tape.
- MGSF2N02ELT1G
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,25 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- RUF020N02TL
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 320 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: TUMT3, упаковка: Cut Tape.
- PMV27UPER
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 4,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 490 мВт (Ta), 4,15 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- ZXMN2B01FTA
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 625 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN3051L-7
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 5,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- BSH202,215
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 520 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 417 мВт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- DMN3730U-7
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 750 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 450 мВт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- SSM3J133TU,LF
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 5,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: UFM, упаковка: Cut Tape.
- MCH3481-TL-W
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 800 мВт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SC-70FL/MCPH3, упаковка: Cut Tape.
- DMP3130LQ-7
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 700 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- ZXMN2F34FHTA
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 950 мВт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед