- NTS4409NT1G
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 700 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 280 мВт (Tj), SMD-монтаж, заводской корпус: SC-70-3 (SOT323), упаковка: Cut Tape.
- SSM3K335R,LF
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: SOT-23F, упаковка: Cut Tape.
- DMP3030SN-7
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 700 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: SC-59-3, упаковка: Cut Tape.
- SI2304BDS-T1-E3
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 750 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- AO3162
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 34 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,39 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- NTR4503NT1G
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 420 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- CEDM7001VL TR
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: SOT-883VL, упаковка: Cut Tape.
- NTR4171PT1G
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 2,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 480 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- RTF016N05TL
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 45 В, ток стока: Iс = 1,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 320 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: TUMT3, упаковка: Cut Tape.
- SSM3J56MFV,L3F
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 800 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: VESM, упаковка: Cut Tape.
- PMV20XNER
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 5,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 510 мВт (Ta), 6,94 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- FDY301NZ
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 625 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: SC-89-3, упаковка: Cut Tape.
- BST82,215
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 190 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 830 мВт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- 2N7002 TR
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 115 мА (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- PMV50XPR
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 490 мВт (Ta), 4,63 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- PMV130ENEAR
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 2,1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 460 мВт (Ta), 5 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- DMN3053L-7
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 760 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- PMF170XP,115
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 290 мВт (Ta), 1,67 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: SOT-323-3, упаковка: Cut Tape.
- AO6405
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- DMG6402LDM-7
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,12 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: SOT-26, упаковка: Cut Tape.
- DMG7430LFG-7
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 900 мВт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- SI1315DL-T1-GE3
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 8 В, ток стока (непрерывный): Iс = 900 мА (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 400 мВт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- DMN3018SSS-13
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,4 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- PMV16XNR
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 6,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 510 мВт (Ta), 6,94 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- DMP31D0UFB4-7B
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 540 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 460 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: X2-DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед