- DMN31D5UFZ-7B
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 220 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 393 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: X2-DFN0606-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN2990UFZ-7B
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 250 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 320 мВт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: X2-DFN0606-3, упаковка: Cut Tape.
- NTR0202PLT1G
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 400 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 225 мВт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- DMG3402L-7
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,4 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- BSS84AKM,315
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока: Iс = 230 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 340 мВт (Ta), 2,7 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
- SSM3K09FU,LF
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 400 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 150 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: USM, упаковка: Cut Tape.
- NTR1P02LT1G
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 1,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 400 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- BSS123W
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 170 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 200 мВт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- DMN3150L-7
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 28 В, ток стока: Iс = 3,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,4 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- DMG2301LK-7
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 840 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- DMN3042L-7
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 5,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 720 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- DMN2004WK-7
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 540 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 200 мВт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- DMG2301U-7
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 800 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- DMP31D0U-7
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 530 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 450 мВт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- SSM3K336R,LF
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус: SOT-23F, упаковка: Cut Tape.
- NTR4502PT1G
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,13 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 400 мВт (Tj), монтаж SMD, корпус детали: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- CEDM7002AE TR
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 300 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: SOT-883L, упаковка: Cut Tape.
- NTNS3164NZT5G
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 361 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 155 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6), упаковка: Cut Tape.
- FDY102PZ
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 830 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 625 мВт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: SC-89-3, упаковка: Cut Tape.
- PMV65XPEAR
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 480 мВт (Ta), 6,25 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- SI1442DH-T1-GE3
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,56 Вт (Ta), 2,8 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: SC-70-6 (SOT-363), упаковка: Cut Tape.
- SSM3K333R,LF
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: SOT-23F, упаковка: Cut Tape.
- BSS127SSN-7
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 50 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 610 мВт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: SC-59, упаковка: Cut Tape.
- DMP2215L-7
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,08 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- BSS123TA
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 170 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед