- BS170_D27Z
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 500 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 830 мВт (Ta), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-92-3, упаковка: Cut Tape.
- BS170_D26Z
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 500 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 830 мВт (Ta), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-92-3, упаковка: Cut Tape.
- PMZ320UPEYL
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), 6,25 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
- BSS84AKMB,315
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 230 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Ta), 2,7 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: 3-DFN1006B (0.6x1), упаковка: Cut Tape.
- PMV160UP,215
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 1,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 335 мВт (Ta), 2,17 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- SSM3K324R,LF
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-23F, упаковка: Cut Tape.
- AO3406
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,4 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: SOT-23-3L, упаковка: Cut Tape.
- SSM3J332R,LF
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-23F, упаковка: Cut Tape.
- SSM3J334R,LF
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: SOT-23F, упаковка: Cut Tape.
- AO3421E
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,4 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: SOT-23-3L, упаковка: Cut Tape.
- DMP2160U-7
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,4 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN6075S-7
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 800 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- DMN2041L-7
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 6,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 780 мВт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- DMG6402LVT-7
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,75 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: TSOT-26, упаковка: Cut Tape.
- NTR1P02T1G
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 400 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- PMV250EPEAR
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 480 мВт (Ta), 6,25 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- AO3413
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,4 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: SOT-23-3L, упаковка: Cut Tape.
- BSS308PEH6327XTSA1
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: PG-SOT23-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN2400UFD-7
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 900 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 400 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: X1-DFN1212-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN3067LW-7
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- DMP10H4D2S-7
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 270 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 380 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- DMG3401LSN-7
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 800 мВт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: SC-59, упаковка: Cut Tape.
- BSH205G2R
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 480 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- 2N7002T
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 115 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 200 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: SOT-523F, упаковка: Cut Tape.
- DMG3418L-7
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,4 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед