- BSS131H6327XTSA1
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 240 В, ток стока (непрерывный): Iс = 110 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 360 мВт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: PG-SOT23-3, упаковка: Cut Tape.
- BSS84,215
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока: Iс = 130 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 250 мВт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- SSM3K56CT,L3F
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 800 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: CST3, упаковка: Cut Tape.
- SSM3K56FS,LF
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 800 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: SSM, упаковка: Cut Tape.
- NTK3043NT1G
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 210 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 310 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: SOT-723, упаковка: Cut Tape.
- FK3506010L
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 100 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 150 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: SMini3-F2-B, упаковка: Cut Tape.
- DMN2400UFB-7
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 750 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 470 мВт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: 3-X1DFN1006, упаковка: Cut Tape.
- BVSS84LT1G
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 130 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 225 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- PMZ600UNEYL
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 600 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 360 мВт (Ta), 2,7 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
- PMF250XNEX
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 342 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: SC-70, упаковка: Cut Tape.
- FDY302NZ
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 600 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 625 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: SC-89-3, упаковка: Cut Tape.
- 2N7000_D26Z
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 400 мВт (Ta), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-92-3, упаковка: Cut Tape.
- 2N7000_D74Z
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 200 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 400 мВт (Ta), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-92-3, упаковка: Cut Tape.
- PMZ290UNEYL
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Ta), 2,7 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
- SSM3J327R,LF
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3,9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: SOT-23F, упаковка: Cut Tape.
- BSN20BKR
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 265 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 310 мВт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- SSM3J56ACT,L3F
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: CST3, упаковка: Cut Tape.
- SSM3K56MFV,L3F
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 800 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 150 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: VESM, упаковка: Cut Tape.
- DMP2305U-7
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 4,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,4 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- DMP2100U-7
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 800 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- DMP3068L-7
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 700 мВт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- DMN10H700S-7
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 700 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 400 мВт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- DMN62D1LFD-7
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 400 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: X1-DFN1212-3, упаковка: Cut Tape.
- AO3409
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 2,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,4 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: SOT-23-3L, упаковка: Cut Tape.
- BS170_D75Z
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 500 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 830 мВт (Ta), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-92-3, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед