- BSS123WQ-7-F
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 170 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 200 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- 2N7002CK,215
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 300 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- 2V7002WT1G
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 310 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 280 мВт (Tj), монтаж на поверхность, тип корпуса: SC-70-3 (SOT323), упаковка: Cut Tape.
- BSS138BK,215
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 360 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), 1,14 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- NX3008NBKW,115
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 350 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 260 мВт (Ta), 830 мВт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: SOT-323-3, упаковка: Cut Tape.
- NX3008PBKW,115
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 200 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 260 мВт (Ta), 830 мВт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: SOT-323-3, упаковка: Cut Tape.
- BSS138AKAR
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 200 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 мВт (Ta), 1,06 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- DMN1150UFB-7B
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 1,41 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: 3-DFN1006 (1.0x0.6), упаковка: Cut Tape.
- BSS123,215
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 150 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 250 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- DMG2302UK-7
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 660 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- RHU002N06T106
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 200 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 200 мВт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: UMT3, упаковка: Cut Tape.
- BVSS138LT1G
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 225 мВт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN53D0L-7
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 500 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 370 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- NX7002BKMYL
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 350 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), 3,1 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
- BSS138BKW,115
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 320 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 260 мВт (Ta), 830 мВт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: SOT-323-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN26D0UFB4-7
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 230 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: X2-DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN2400UFB4-7
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 750 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 470 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: X2-DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
- 2N7002KW
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 310 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- BSS138W
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока: Iс = 210 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 340 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- PMZB390UNEYL
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 900 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), 5,43 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: DFN1006B-3, упаковка: Cut Tape.
- DMP2004K-7
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 600 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 550 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- MMBF170-7-F
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 500 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 300 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- 2N7002BKW,115
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 310 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 275 мВт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: SOT-323-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN6140L-7
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- PMZ130UNEYL
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), 6,25 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед