Полевые транзисторы | МОП-транзисторы | FET, MOSFET | Каталог

В нашем каталоге представлен широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов (MOSFET) ведущих мировых производителей дискретных полупроводников. У нас можно купить униполярные транзисторы с n-каналом или p-каналом, напряжение сток-исток (U_СИ) в диапазоне от 6 В до 4,5 кВ, ток стока (I_С) от 5 мА до 860 А, сопротивление в открытом состоянии (R_{СИ откр.}) от 0,4 мОм до 1 кОм, рассеиваимая мощность (P_макс.) от 80 мВт до 5 кВт.

IRLML5203GTRPBF

Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока: I_с = 3 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 1,25 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: Micro3™/SOT-23, упаковка: Cut Tape.

IRF5801TRPBF

Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 200 В, ток стока (непрерывный): I_с = 600 мА (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 2 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: Micro6™(TSOP-6), упаковка: Cut Tape.

IRLMS5703TRPBF

Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока: I_с = 2,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 1,7 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: Micro6™(TSOP-6), упаковка: Cut Tape.

IRLMS6702TRPBF

MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 20 В, ток стока: I_с = 2,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 1,7 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: Micro6™(TSOP-6), упаковка: Cut Tape.

IRLMS1503TRPBF

Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока: I_с = 3,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 1,7 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: Micro6™(TSOP-6), упаковка: Cut Tape.

IRLR8729TRPBF

Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока (непрерывный): I_с = 58 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 55 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

IRF5803TRPBF

MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 40 В, ток стока (непрерывный): I_с = 3,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 2 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: Micro6™(TSOP-6), упаковка: Cut Tape.

IRLHS6242TRPBF

МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 20 В, ток стока (непрерывный): I_с = 10 А (Ta), 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 1,98 Вт (Ta), 9,6 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: 6-PQFN (2x2), упаковка: Cut Tape.

IRFL024ZTRPBF

Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока (непрерывный): I_с = 5,1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 1 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: SOT-223, упаковка: Cut Tape.

BSP171PH6327XTSA1

МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока: I_с = 1,9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 1,8 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: PG-SOT223-4, упаковка: Cut Tape.

IRFHM9331TRPBF

Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока: I_с = 11 А (Ta), 24 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 2,8 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: PQFN (3x3), упаковка: Cut Tape.

BSP170PH6327XTSA1

Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока (непрерывный): I_с = 1,9 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 1,8 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: PG-SOT223-4, упаковка: Cut Tape.

BSP296NH6327XTSA1

Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока: I_с = 1,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 1,8 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: PG-SOT223-4, упаковка: Cut Tape.

BSP317PH6327XTSA1

МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 250 В, ток стока (непрерывный): I_с = 430 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 1,8 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: PG-SOT223-4, упаковка: Cut Tape.

BSP129H6327XTSA1

MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 240 В, ток стока (непрерывный): I_с = 350 мА (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 1,8 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: PG-SOT223-4, упаковка: Cut Tape.

IRFR3707ZTRPBF

Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока (непрерывный): I_с = 56 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 50 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

IRF7413ZTRPBF

MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока: I_с = 13 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 2,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.

IRF7404TRPBF

MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 20 В, ток стока (непрерывный): I_с = 6,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.

IRF7413TRPBF

Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока (непрерывный): I_с = 13 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 2,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.

IRFR4105TRPBF

МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока (непрерывный): I_с = 27 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 68 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

BSP135H6327XTSA1

МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 600 В, ток стока (непрерывный): I_с = 120 мА (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 1,8 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.

IRF530NSTRLPBF

МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока (непрерывный): I_с = 17 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 3,8 Вт (Ta), 70 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.

BSC16DN25NS3GATMA1

MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 250 В, ток стока (непрерывный): I_с = 10,9 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 62,5 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.

IPD80R450P7ATMA1

MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока: I_с = 11 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 73 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: TO-252, упаковка: Cut Tape.

IRFS7437TRLPBF

MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 40 В, ток стока (непрерывный): I_с = 195 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 230 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.

Назад Вперед

Drain to Source Voltage -- напряжение сток-исток

Drive Voltage -- управляющее напряжение

Power Dissipation -- рассеиваемая мощность

Gate−to−Source Voltage − Continuous -- напряжение затвор-исток (непрерывное)

Drain Current -- ток стока

Полевые транзисторы (FET, MOSFET)