- RV1C001ZPT2L
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 мВт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: VML0806, упаковка: Cut Tape.
- BSH111BKR
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 210 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 302 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- NTR4003NT1G
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 500 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 690 мВт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- RZM002P02T2L
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 200 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: VMT3, упаковка: Cut Tape.
- FK3306010L
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 мВт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: SSSMini3-F2-B, упаковка: Cut Tape.
- FK3303010L
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 100 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 мВт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: SSSMini3-F2-B, упаковка: Cut Tape.
- SSM3K16FU,LF
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 100 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: USM, упаковка: Cut Tape.
- DMN313DLT-7
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 270 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 280 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: SOT-523, упаковка: Cut Tape.
- DMN6140L-13
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 700 мВт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- MMBF170LT1G
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 500 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 225 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- NX3008NBK,215
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 400 мА (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), 1,14 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- NX3008PBK,215
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 230 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), 1,14 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- BSS84AK,215
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока: Iс = 180 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), 1,14 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- DMN61D9UW-7
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 340 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 320 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- DMN62D0U-7
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 380 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 380 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- DMN62D0UW-7
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 340 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 320 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- RUM002N02T2L
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 мВт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: VMT3, упаковка: Cut Tape.
- DMP21D5UFB4-7B
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 700 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 460 мВт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: X2-DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
- PMZB290UNE2YL
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 1,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), 5,43 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: DFN1006B-3, упаковка: Cut Tape.
- RUM002N05T2L
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 мВт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: VMT3, упаковка: Cut Tape.
- DMN62D0LFD-7
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 310 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 480 мВт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: X1-DFN1212-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN53D0U-7
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 300 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 520 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- DMN26D0UT-7
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 230 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 300 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: SOT-523, упаковка: Cut Tape.
- NTA4001NT1G
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 238 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 300 мВт (Tj), SMT-монтаж, заводской корпус: SC-75, SOT-416, упаковка: Cut Tape.
- FK3503010L
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 150 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: SMini3-F2-B, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед